[發明專利]用于制造至少兩件式的結構的方法

有效

• 申請號: 201810061821.4
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN108339980B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: K·施倫格;V·阿貝阿赫爾利;B·賽勒;M·托內;M·瓦尼爾
• 申請（專利權）人: 布魯克EAS有限公司
• 主分類號: B22F3/105
• 分類號: B22F3/105;H01B12/02;H01B13/00;B33Y10/00
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 鄧斐

1.用于制造至少兩件式的結構(43)的方法，

其中，單獨地制造第一結構(2a)和第二結構(2b)，并且隨后將第一結構(2a)和第二結構(2b)彼此接合，

將所述第二結構(2b)完全或主要由超導材料制成，

其特征在于，

分別分層地通過粉末(6)的選擇性激光熔化或選擇性電子束熔化來制造所述第一結構(2a)和第二結構(2b)，

將所述第一結構(2a)制造成帶有多個軸向空隙部(23)，并且將所述第二結構(2b)制造成帶有多個互補的軸向突起(21)，并且

所述第二結構(2b)的軸向突起(21)具有至少20的突起縱橫比FAV。

2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于，由不同的材料制成所述第一結構(2a)和第二結構(2b)。

3.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，將所述第一結構(2a)制造成帶有至少7個軸向空隙部(23)，并且將所述第二結構(2b)制造成帶有至少7個互補的軸向突起(21)。

4.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一結構(2a)的軸向連橋區域(25)具有至少20的連橋縱橫比SAV，所述軸向空隙部(23)在所述軸向連橋區域中構成。

5.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，沿垂直于軸向空隙部(23)和軸向突起(21)的軸向延伸方向(AR)的方向(FR)分層地制造所述第一結構(2a)和第二結構(2b)。

6.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，沿軸向空隙部(23)和軸向突起(21)的軸向延伸方向(AR)分層地制造所述第一結構(2a)和第二結構(2b)。

7.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，將所述第二結構(2b)完全或主要由NbTi制成。

8.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，將所述第一結構(2a)完全或主要由鋁或銅制成，或將所述第一結構(2a)完全或主要由包含鋁或銅的合金制成。

9.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，使所述兩件式的結構(43)在彼此接合之后經受橫截面縮小的成形。

10.按照上述權利要求1或2所述的方法，其特征在于，將所述第一結構(2a)和/或第二結構(2b)在通過選擇性激光熔化或電子束熔化的分層的制造之后經受降低粗糙度的表面處理。

11.按照上述權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述至少兩件式的結構是用于超導線的半成品。

12.至少兩件式的結構(43)，該至少兩件式的結構按照權利要求1至11之一所述的方法來制造。

13.按照權利要求12所述的至少兩件式的結構，其特征在于，所述至少兩件式的結構是用于超導線的半成品。