[發(fā)明專利]一種原位混雜增強三硅化五鈦基復合材料制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810061393.5 | 申請日: | 2018-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN108249942A | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 方雙全;田郭濤;秦云晴 | 申請(專利權(quán))人: | 揚州大學 |
| 主分類號: | C04B35/80 | 分類號: | C04B35/80;C04B35/58;C04B35/65;C04B35/645 |
| 代理公司: | 南京中新達專利代理有限公司 32226 | 代理人: | 孫鷗;朱杰 |
| 地址: | 225009 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 原位混雜 制備 鈦基復合材料 短切碳纖維 原位反應 復合材料 碳纖維 硅化 金屬間化合物 真空熱壓燒結(jié) 界面相容性 混雜增強 力學性能 室溫脆性 基體相 氣孔率 增強相 協(xié)同 | ||
本發(fā)明涉及一種原位混雜增強三硅化五鈦基復合材料制備方法。本發(fā)明短切碳纖維與Ti3SiC2混雜增強Ti5Si3基復合材料,由短切碳纖維、Ti與Si粉末通過真空熱壓燒結(jié)得到的,其中增強相Ti3SiC2通過原位反應得到,與未反應碳纖維協(xié)同增強原位反應得到的基體相Ti5Si3。本發(fā)明克服了Ti5Si3金屬間化合物低的室溫脆性的缺陷。本發(fā)明在于其制備的碳纖維與Ti3SiC2原位混雜增強Ti5Si3基復合材料,致密度高、氣孔率小、界面相容性好、力學性能優(yōu)異。
技術領域
本發(fā)明涉及一種陶瓷基復合材料,特別涉及一種原位混雜增強三硅化五鈦基復合材料制備方法。
背景技術
Ti5Si3是Ti-Si系二元化合物中熔點最高的中間相,單相Ti5Si3可以通過熱壓或等靜壓Ti5Si3粉末或相應比例的Si和Ti粉末得到,制備工藝簡單。與Al系金屬間化合物相比,Ti5Si3具有熔點高(2130℃)、密度低(4.65g/cm3)及優(yōu)異的高溫性能如高的高溫硬度、良好的高溫穩(wěn)定性、抗氧化性能。Ti5Si3的熔點與高溫結(jié)構(gòu)陶瓷相接近甚至更高,但其密度卻遠低于一些高溫結(jié)構(gòu)陶瓷與高溫合金,與鈦合金相當,具備了在高溫下使用的潛力。
在本發(fā)明之前,低的室溫脆性一直制約著Ti5Si3金屬間化合物在實際應用領域的開發(fā)應用,所以如何設計添加可行的增韌相、大幅度提高材料的力學性能,強韌化Ti5Si3金屬間化合物仍是長期研究的焦點問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就在于克服上述缺陷,提供一種原位混雜增強三硅化五鈦基復合材料制備方法。
本發(fā)明的技術方案是:
一種原位混雜增強三硅化五鈦基復合材料制備方法,其主要技術特征在于短切碳纖維與Ti3SiC2混雜增強Ti5Si3基復合材料,由短切碳纖維、Ti與Si粉末通過真空熱壓燒結(jié)得到的,其中增強相Ti3SiC2通過原位反應得到,與未反應碳纖維協(xié)同增強原位反應得到的基體相Ti5Si3。
本發(fā)明的另一技術方案是:
一種原位混雜增強三硅化五鈦基復合材料制備方法,其主要技術特征在于步驟如下:
(1)使用Csf及Ti、Si粉末作為原料,通過表面處理與超聲分散方法得到均勻分散的Csf-Ti-Si燒結(jié)粉末;
(2)將準備好的粉體放入石墨模具中,放入真空度小于1.0×10-2真空熱壓爐中,以10-20℃/min的速度升溫到1350-1450℃,保溫2-3小時,最大壓力為20-40MPa,然后以20-30℃/min的降溫速率進行退火至室溫。
所述步驟(1)中利用表面活性劑對短切碳纖維進行表面處理,再與經(jīng)鹽酸處理后的Ti、Si粉末進行超聲分散,干燥后得到Csf-Ti-Si燒結(jié)粉末。
所述步驟(2)中真空熱壓爐的真空度小于1.0×10-2。
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