[發(fā)明專利]半導體存儲器件的檢測電路及檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810060965.8
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN110070905B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 宋珊珊;王珺

1.一種半導體存儲器件的檢測電路，其特征在于，包括：

第一電阻提供模塊，包括n個并聯(lián)的上拉電阻，n個所述上拉電阻的結(jié)構(gòu)相同，其中，n是大于等于2的正整數(shù)；

參考電阻，所述參考電阻和所述第一電阻提供模塊在所述半導體存儲器件的阻抗端點串聯(lián)，所述參考電阻一端接地，所述第一電阻提供模塊一端連接電源；

控制碼產(chǎn)生單元，所述控制碼產(chǎn)生單元的輸出端與每個所述上拉電阻連接，所述控制碼產(chǎn)生單元用于將產(chǎn)生的控制碼輸出至每個所述上拉電阻，以控制所述第一電阻提供模塊的電阻值；

參考電壓提供單元，用于提供參考電壓；以及

第一比較器，所述第一比較器的同相輸入端連接所述阻抗端點，所述第一比較器的反相輸入端連接所述參考電壓提供單元的第一輸出端，以比較所述阻抗端點處的第一電壓與所述參考電壓；

所述參考電壓提供單元經(jīng)由所述第一輸出端輸出第一參考電壓至所述第一比較器，所述第一比較器還獲取所述阻抗端點的第一電壓并比較所述第一電壓與所述第一參考電壓；

其中，所述第一參考電壓是各所述上拉電阻的阻值均為期望的最大值情況下所述阻抗端點的電壓，所述第一電壓是各所述上拉電阻的阻值均為實際的最大值的情況下所述阻抗端點的電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測電路，其特征在于，所述參考電壓提供單元經(jīng)由所述第一輸出端輸出第二參考電壓至所述第一比較器，所述第一比較器還獲取所述阻抗端點的第二電壓并比較所述第二電壓與所述第二參考電壓；

其中，所述第二參考電壓是各所述上拉電阻的阻值均為期望的最小值情況下所述阻抗端點的電壓，所述第二電壓是各所述上拉電阻的阻值均為實際的最小值的情況下所述阻抗端點的電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測電路，其特征在于，還包括第二比較器，所述第二比較器的同相輸入端連接所述阻抗端點，所述第二比較器的反相輸入端連接所述參考電壓提供單元的第二輸出端；

所述參考電壓提供單元經(jīng)由所述第二輸出端輸出第三參考電壓至所述第二比較器，所述第三參考電壓小于所述第一參考電壓；所述第二比較器用于比較所述第一電壓與所述第三參考電壓；

所述參考電壓提供單元經(jīng)由所述第二輸出端輸出第四參考電壓至所述第二比較器，所述第四參考電壓大于所述第二參考電壓，所述第二比較器還用于比較所述第二電壓與所述第四參考電壓。

4.一種檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供如權(quán)利要求1所述的半導體存儲器件的檢測電路；

所述參考電壓提供單元經(jīng)由第一輸出端輸出參考電壓；

所述第一比較器獲取所述阻抗端點的第一電壓；

所述第一比較器比較所述第一電壓與所述參考電壓，得到第一比較結(jié)果；

當所述參考電阻一端接地，且所述第一電阻提供模塊一端連接電源時，所述參考電壓包括第一參考電壓，所述第一參考電壓是各所述上拉電阻的阻值均為期望的最大值情況下所述阻抗端點的電壓，所述第一電壓是各所述上拉電阻的阻值均為實際的最大值的情況下所述阻抗端點的電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測方法，其特征在于，還包括如下步驟：

所述參考電壓提供單元經(jīng)由第一輸出端輸出第二參考電壓至所述第一比較器；

所述第一比較器獲取所述阻抗端點的第二電壓；

所述第一比較器比較所述第二電壓與所述第二參考電壓，得到第二比較結(jié)果；

根據(jù)第一比較結(jié)果和第二比較結(jié)果，判斷所述上拉電阻阻值的實際調(diào)節(jié)范圍的狀態(tài)；

其中，所述第二參考電壓是各所述上拉電阻的阻值均為期望的最小值情況下所述阻抗端點的電壓，所述第二電壓是各所述上拉電阻的阻值均為實際的最小值的情況下所述阻抗端點的電壓。