[發明專利]一種LED芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 201810060865.5
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN108281516A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 童玲
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種LED芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供LED外延結構，所述LED外延結構包括襯底；自下至上依次形成于所述襯底上的N型外延層、量子阱層及P型外延層；

形成透明導電層，在所述P型外延層上形成所述透明導電層；

形成開口，所述開口貫穿所述透明導電層暴露出部分所述P型外延層；

形成P電極層，所述P電極層填充滿所述開口且覆蓋所述透明導電層的表面；

提供基板，將所述基板與所述P電極層相鍵合；

去除所述襯底并暴露出所述N型外延層；

形成N電極，在所述N型外延層表面形成所述N電極；其中，

所述開口與所述N電極在所述透明導電層上的垂直投影相對應，且所述開口的尺寸大于所述N電極在所述透明導電層上的垂直投影的尺寸。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述開口的尺寸小于所述N電極在所述透明導電層上的垂直投影的尺寸的兩倍。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成P電極層的步驟包括：

形成反射電極層，所述發射電極層填充滿所述開口且覆蓋所述透明導電層的表面；

形成鍵合金屬層，在所述反射電極層上形成所述鍵合金屬層，所述反射電極層和所述鍵合金屬層共同作為所述P電極層。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝形成所述開口。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法在去除所述襯底并暴露出所述N型外延層的步驟和形成N電極的步驟之間，還包括對所述N型外延層的表面進行粗化的步驟。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝粗化所述N型外延層的表面。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述LED外延結構還包括形成于所述襯底和所述N型外延層之間的非故意摻雜外延層。

8.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，去除所述襯底并暴露出N型外延層的步驟包括：

采用激光剝離法去除所述襯底；

采用干法刻蝕去除所述非故意摻雜外延層以暴露出所述N型外延層。

9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述透明導電層為ITO透明導電層。

10.一種LED芯片，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上且自下至上的P電極層、透明導電層、P型外延層、量子阱層、N型外延層及N電極；其中，

所述透明導電層中具有開口，所述開口與所述N電極在所述透明導電層上的垂直投影相對應，且所述開口的尺寸大于所述N電極在所述透明導電層上的垂直投影的尺寸，所述開口暴露出所述P型外延層，所述P電極層填充滿所述開口且覆蓋所述透明導電層的表面。

11.如權利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述開口的尺寸小于所述N電極在所述透明導電層上的垂直投影的尺寸的兩倍。

12.如權利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述P電極層包括反射電極層和鍵合金屬層，其中，所述反射電極層填充滿所述開口且覆蓋所述透明導電層的表面，所述鍵合金屬層位于所述反射電極層與所述基板之間。

13.如權利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層的材質為ITO。

14.如權利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述N電極的材質為Ni/Au、Al/Ti/Pt/Au或Cr/Pt/Au。

15.如權利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述基板為Si襯底、W/Cu襯底或Mo/Cu襯底。

16.如權利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述N型外延層具有粗糙的表面。