[發(fā)明專利]像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810060401.4
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN108182907A
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張婷婷;黃秀頎;張露;胡思明;韓珍珍;朱暉
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208;G09G3/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

1.一種像素電路，其特征在于，包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第一電容、第二電容以及發(fā)光二極管，其中：

所述第一薄膜晶體管的柵極分別與所述第二薄膜晶體管的源極、所述第一電容的一端以及所述第二電容的一端連接，所述第二薄膜晶體管的漏極分別與初始電壓信號線以及所述第三薄膜晶體管的漏極連接，所述第一電容的另一端分別與所述第四薄膜晶體管的漏極以及所述第五薄膜晶體管的源極連接，所述第四薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)電壓信號線連接；

所述第一薄膜晶體管的源極分別與所述第五薄膜晶體管的漏極、所述第六薄膜晶體管的漏極以及所述第二電容的另一端連接，所述第六薄膜晶體管的源極與第一電源連接；

所述第一薄膜晶體管的漏極分別與所述第三薄膜晶體管的源極以及所述第七薄膜晶體管的源極連接，所述第七薄膜晶體管的漏極與所述發(fā)光二極管的陽極連接，所述發(fā)光二極管的陰極與第二電源連接。

2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，

所述第一電源，用于為所述第一薄膜晶體管提供電源電壓；

所述發(fā)光二極管發(fā)光時電流流入所述第二電源；

所述初始電壓，用于為所述第一薄膜晶體管的柵極、所述第一電容的一端以及所述發(fā)光二極管的陽極提供初始化電壓。

3.如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，

所述第二薄膜晶體管的柵極、所述第三薄膜晶體管的柵極以及所述第五薄膜晶體管的柵極與第一掃描線連接，所述第一掃描線提供的第一掃描信號控制所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管以及所述第五薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，所述初始電壓信號線提供的初始電壓對所述第一薄膜晶體管的柵極、所述第一電容的一端以及所述發(fā)光二極管的陽極進行初始化；

所述第四薄膜晶體管的柵極與第二掃描線連接，所述第二掃描線提供的第二掃描信號控制所述第四薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，所述數(shù)據(jù)電壓信號線提供的數(shù)據(jù)電壓通過所述第一電容向所述第一薄膜晶體管的柵極施加電壓；

所述第六薄膜晶體管的柵極以及所述第七薄膜晶體管的柵極與發(fā)光控制線連接，所述發(fā)光控制線提供的發(fā)光控制信號控制所述第六薄膜晶體管以及所述第七薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，電流流入所述發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管發(fā)光。

4.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，

所述發(fā)光控制線在所述發(fā)光二極管發(fā)光前，控制所述第六薄膜晶體管以及所述第七薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述第一電源向所述第一薄膜晶體管的源極施加電壓，使得所述發(fā)光二極管發(fā)光時，所述第一薄膜晶體管的柵極電壓保持不變。

5.如權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，

所述初始電壓對所述第一薄膜晶體管的柵極進行初始化后，所述第一薄膜晶體管的柵極與源極之間的電壓差為所述第一薄膜晶體管的閾值電壓，對所述第一薄膜晶體管的閾值電壓進行補償。

6.如權(quán)利要求1至5任一項所述的像素電路，其特征在于，

所述第一薄膜晶體管為P型薄膜晶體管；

所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述第六薄膜晶體管以及所述第七薄膜晶體管為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。