[發明專利]一種用于顯示面板中的薄膜晶體管及顯示面板在審
| 申請號： | 201810059907.3 | 申請日： | 2018-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN108321171A | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 樊勇;闕成文;吳豪旭 | 申請（專利權）人： | 惠州市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L21/77;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊賢卿 |
| 地址： | 516000 廣東省惠州市仲愷高新技術*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示面板 薄膜晶體管 柵極絕緣層 源層 玻璃基板 金屬氧化物層 顯示品質 反射光 反射率 金屬層 漏極 源極 覆蓋 | ||
1.一種用于顯示面板中的薄膜晶體管，其特征在于，包括：位于顯示面板中的玻璃基板上方的柵極以及柵極絕緣層，且所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極；
所述柵極絕緣層上方設有有源層，且所述有源層位于所述柵極上方，所述有源層上還設有源極和漏極；
其中，在遠離所述玻璃基板的方向上，所述柵極依次包含金屬氧化物層以及金屬層。
2.根據權利要求1所述的用于顯示面板中的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬層包含第一金屬層以及第二金屬層，所述第一金屬層位于所述第二金屬層與所述金屬氧化物層之間。
3.根據權利要求2所述的用于顯示面板中的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬層的材料為鉻、鈦、鉬中的一種或者鉻、鈦、鉬中的一種金屬的復合金屬材料；
所述第二金屬層的材料為銅或鋁；
所述金屬氧化物層為MoOx。
4.根據權利要求2所述的用于顯示面板中的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬層的厚度范圍為15~70nm，所述第二金屬層的厚度范圍為150~500nm，所述金屬氧化物層的厚度范圍為40~70nm。
5.根據權利要求1所述的用于顯示面板中的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極、所述源極以及所述漏極均位于所述顯示面板的非顯示區。
6.根據權利要求1所述的用于顯示面板中的薄膜晶體管，其特征在于，
在遠離所述玻璃基板的方向上，所述源極和所述漏極均依次包含金屬氧化物層以及金屬層。
7.一種顯示面板，其特征在于，包括玻璃基板以及權利要求1~6任一項所述的薄膜晶體管。
8.根據權利要求7所述的顯示面板，其特征在于，還包括位于所述薄膜晶體管上方的鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述鈍化層上還設有過孔和像素電極，且所述像素電極通過所述過孔與所述源極或者所述漏極連接。
9.根據權利要求8所述的顯示面板，其特征在于，所述像素電極的材料為ITO材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
