[發明專利]用于CMP應用的薄的塑料拋光用具

有效

• 申請號: 201810059565.5
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN108326730B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: R·D·托勒斯;G·E·孟克;E·戴維;Y·王;H·K·特蘭;F·C·雷德克;V·R·R·卡基雷迪;E·米克海利琴科;J·古魯薩米
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: B24B37/24
• 分類號: B24B37/24;B24B37/22;B24B37/26;H01L21/66
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 金紅蓮;侯穎媖

1.一種拋光用具，所述拋光用具包括聚合物片材，所述聚合物片材包括：

厚度，所述厚度限定在拋光表面與相對的底表面之間；

長度，所述長度在基本上平行于所述拋光表面的第一方向上延伸；

寬度，所述寬度在基本上平行于所述拋光表面且垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中所述寬度比所述長度小至少兩倍；

固體聚合物材料，所述固體聚合物材料基本上無孔隙；

多個離散元件，所述多個離散元件形成在所述拋光表面上；以及

溝槽陣列，所述溝槽陣列形成在所述拋光表面中，其中所述溝槽陣列是相對于所述第一方向或所述第二方向而對準的，

其中所述離散元件具有：

小于40μm的特征跨距；以及

從2μm至7μm的算術平均高度(Sa)，且

其中所述相對的底表面包括具有從2微英寸(0.05微米)至200微英寸(5.08微米)的算術平均高度(Sa)的表面粗糙度。

2.如權利要求1所述的拋光用具，其中所述溝槽陣列中的每個所述溝槽從所述拋光表面延伸到在所述拋光表面下方的某個深度，并且所述厚度小于或等于約0.48mm。

3.如權利要求1所述的拋光用具，其中所述聚合物片材包括選自由以下項組成的群組的材料：聚丙烯和聚四氟乙烯(PTFE)。

4.如權利要求1所述的拋光用具，其進一步包括與所述相對的底表面接觸的可剝離結合層。

5.如權利要求1所述的拋光用具，其中所述溝槽陣列從所述拋光表面朝所述相對的底表面延伸，并且所述溝槽在所述拋光表面中限定重復溝槽圖案。

6.如權利要求1所述的拋光用具，其中所述溝槽陣列從所述拋光表面朝所述相對的底表面延伸，并且所述溝槽包括各自相鄰于所述拋光表面而定位且從所述拋光表面延伸的第一側壁和第二側壁，并且具有在平行于所述拋光表面的平面內延伸的長度，其中所述第一側壁和所述第二側壁是彎曲的。

7.如權利要求1所述的拋光用具，其中形成在所述拋光表面中的所述離散元件進一步包括：

45％至65％的界面面積比率；

每一毫米30至35的平均峰值密度；

30μm至50μm的最大尖峰高度(Sp)；以及

30μm至80μm的最大凹坑高度(Sv)。

8.如權利要求1所述的拋光用具，其中形成在所述拋光表面中的所述離散元件進一步包括：

每一毫米30至35的平均峰值密度。

9.一種拋光用具，所述拋光用具包括：

聚合物片材，所述聚合物片材具有襯墊主體，所述襯墊主體包括：

固體聚合物材料，所述固體聚合物材料基本上無孔隙；

厚度，所述厚度限定在拋光表面與相對的底表面之間，并且所述厚度小于約0.46mm；以及

多個離散元件，所述多個離散元件形成在所述拋光表面中，其中形成在所述拋光表面中的所述離散元件具有：

小于40μm的特征跨距；以及

從2μm至7μm的算術平均高度(Sa)，

其中所述相對的底表面包括具有從2微英寸(0.05微米)至200微英寸(5.08微米)的算術平均高度(Sa)的表面粗糙度。

10.如權利要求9所述的拋光用具，其中所述襯墊主體包括選自由以下項組成的群組的材料：聚丙烯和聚四氟乙烯(PTFE)。

11.如權利要求9所述的拋光用具，其進一步包括與所述相對的底表面接觸的可剝離結合層。

12.如權利要求9所述的拋光用具，其中所述聚合物片材進一步包括多個溝槽，所述多個溝槽從所述拋光表面延伸到所述襯墊主體內的某個深度，并且所述溝槽在所述拋光表面中限定重復溝槽圖案。