[發明專利]一種集成了周邊RCsnubber結構的碳化硅SBD器件元胞結構在審
| 申請號： | 201810059254.9 | 申請日： | 2018-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN108133966A | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發明（設計）人： | 袁俊;黃興;倪煒江;徐妙玲;張敬偉;牛喜平;李明山;竇娟娟;陳欣璐;呂樅;耿偉 | 申請（專利權）人： | 北京世紀金光半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003 | 代理人： | 張宇鋒 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅SBD 器件元胞 深溝槽結構 孔洞填充 多晶硅 致密性 電極 金屬 匹配 高介電常數介質 抗干擾能力 器件可靠性 尖峰 陽極 電路設計 高頻電壓 開關過程 離散元件 耐壓能力 元胞結構 劃片道 填充 封裝 緊湊 外圍 吸收 申請 | ||
【權利要求書】：
1.一種集成了周邊RC snubber結構的碳化硅SBD器件元胞結構，其特征在于，所述元胞結構的JTE區外圍和劃片道之間設置了多個深溝槽結構，所述深溝槽結構內依次填充高介電常數介質和多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金屬，并從所述多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金屬上用金屬引出RC電極。
2.根據權利要求1所述的集成了周邊RC snubber結構的碳化硅SBD器件元胞結構，其特征在于，所述深溝槽結構由ICP，RIE或激光燒孔工藝制作而成。
3.根據權利要求1所述的集成了周邊RC snubber結構的碳化硅SBD器件元胞結構，其特征在于，所述高介電常數介質為SiO2、SiNx、Al2O3、AlN、HfO2、MgO、Sc2O3、Ga2O3、AlHFOx、HFSiON中的一種或任意幾種。
4.根據權利要求1所述的集成了周邊RC snubber結構的碳化硅SBD器件元胞結構，其特征在于，所述致密性孔洞填充特性好的金屬為鎢或鈦。
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