[發明專利]一種具有多級溝槽的碳化硅SBD器件元胞結構在審
| 申請號： | 201810059253.4 | 申請日： | 2018-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN108063167A | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發明（設計）人： | 袁俊;徐妙玲 | 申請（專利權）人： | 北京世紀金光半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003 | 代理人： | 張宇鋒 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 多級 溝槽 碳化硅 sbd 器件 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有多級溝槽的碳化硅SBD器件元胞結構，其特征在于，所述元胞結構的N
2.根據權利要求1所述的具有多級溝槽的碳化硅SBD器件元胞結構，其特征在于，所述多級深溝槽由ICP，RIE或激光燒孔工藝制作而成。
3.根據權利要求1所述的具有多級溝槽的碳化硅SBD器件元胞結構，其特征在于，所述金屬為鎢或鈦。
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