[發明專利]半導體器件閃爍噪聲表征數據篩選方法在審
| 申請號： | 201810058401.0 | 申請日： | 2018-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN108304630A | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發明（設計）人： | 王偉;呂少力 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50;G06F17/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 噪聲頻譜 頻點 半導體器件 表征數據 半導體樣本 測試 閃爍 擬合 噪聲 篩選 實際工作狀態 噪聲頻譜數據 實驗數據 算法處理 物理特性 噪聲模型 噪聲數據 重合 采集 | ||
1.一種半導體器件閃爍噪聲表征數據篩選方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)選取多個半導體樣本；
2)設置多個測試頻點；
3)獲取相同的測試條件下每個半導體樣本在每個測試頻點的噪聲頻譜；
4)將多個半導體樣本在同一個測試頻點的噪聲頻譜按采集算法處理獲得該測試頻點的噪聲頻譜表征數據；
5)將所有測試頻點的噪聲頻譜表征數據作為這種半導體器件閃爍噪聲模型擬合的實驗數據。
2.如權利要求1所述半導體器件閃爍噪聲表征數據篩選方法，其特征在于，所述采集算法為：計算多個半導體樣本在同一個測試頻點噪聲頻譜的中位數值作為該測試頻點的噪聲頻譜表征數據。
3.如權利要求1所述半導體器件閃爍噪聲表征數據篩選方法，其特征在于，所述采集算法為：計算多個半導體樣本在同一個測試頻點噪聲頻譜的算術平均值作為該測試頻點的噪聲頻譜表征數據。
4.如權利要求1所述半導體器件閃爍噪聲表征數據篩選方法，其特征在于，所述采集算法為：
計算多個半導體樣本在同一個測試頻點噪聲頻譜的中位數值和算術平均值；
計算多個半導體樣本在上述測試頻率點的中位數值和算術平均值的算數平均值，將該均值作為該測試頻點的噪聲頻譜表征數據。
5.如權利要求1-4任意一項所述半導體器件閃爍噪聲表征數據篩選方法，其特征在于：
實施步驟4)時，在采集算法處理各測試頻點的噪聲頻譜前，先對各測試頻點噪聲頻譜進行預降噪處理。
6.如權利要求5所述半導體器件閃爍噪聲表征數據篩選方法，其特征在于：所述預降噪處理是刪除各個測試頻點噪聲頻譜中大于標準偏差3-6倍的噪聲頻譜。
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