[發明專利]一種功率半導體器件的測試方法有效
| 申請號： | 201810058365.8 | 申請日： | 2018-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN108344936B | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 黃昌民;詹小勇;許玉歡 | 申請（專利權）人： | 無錫昌德微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人： | 程爽 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市新吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 半導體器件 測試 方法 | ||
1.一種功率半導體器件的測試方法，其特征在于，在常規測試反向漏電流的項目中，增加±IGSS和IDSS測試項目，所述±IGSS和IDSS項目設定為在±IGSS和IDSS測定電壓條件下測試反向漏電流，所述功率半導體的測試方法包括如下步驟：
步驟1：確定±IGSS測試電壓值；所述確定±IGSS測試電壓值的步驟如下：
(1)將被測產品在圖示儀上進行反向擊穿電壓測試，測出被測產品能夠承受的極限電壓；
(2)在被測產品能夠承受的極限電壓數值范圍內選擇測試電壓；
(3)在所述反向擊穿電壓測試中設定選擇的測試電壓，做批量測試調試，根據被測產品的合格率分析被測產品的最終測試電壓值；
步驟2：確定IDSS測試電壓值；
步驟3：采用確定的±IGSS和IDSS測定電壓值對被測產品進行所述反向漏電流測試。
2.如權利要求1所述的功率半導體器件的測試方法，其特征在于，所述步驟(2)中選擇的測試電壓為被測產品能夠承受的極限電壓的60％-80％。
3.如權利要求1所述的功率半導體器件的測試方法，其特征在于，所述確定IDSS測試電壓值的步驟如下：
(1)用常規測試程序測試批量產品，通過統計測試數據確定被測產品BVDSS參數數值分布；
(2)根據BVDSS參數數值分布情況，選擇一個電壓數值；
(3)在反向擊穿電壓測試程序中設定選擇的測試電壓，做批量測試調試，根據被測產品的合格率分析被測產品的最終測試電壓值。
4.如權利要求3所述的功率半導體器件的測試方法，其特征在于，所述步驟(2)中選擇的電壓數值大于BVDSS參數數值分布的最大值。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫昌德微電子股份有限公司，未經無錫昌德微電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810058365.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種UHF局部放電檢測裝置及其檢測方法
- 下一篇：一種功率單元的可控測試裝置
