[發明專利]具有改善的諧波衰減特性的射頻開關設備

有效

• 申請號: 201810058135.1
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN109150149B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 趙炳學;金正勛;白鉉
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉奕晴;田野

提供了一種射頻(RF)開關設備，所述射頻開關設備包括：信號輸入端子；信號輸出端子；第一晶體管，包括連接至信號輸入端子的第一輸入端子、連接至信號輸出端子的第一輸出端子、第一柵極端子以及第一體端子，其中，第一輸入端子和第一輸出端子中的一個是源極端子，第一輸入端子和第一輸出端子中另一個是漏極端子；第一電容器電路，連接在第一輸入端子和第一體端子之間；以及第二電容器電路，連接在第一體端子和第一輸出端子之間；其中，第一電容器電路的第一電容大于第二電容器電路的第二電容。

本申請要求于2017年6月28日在韓國知識產權局提交的第10-2017-0081848號韓國專利申請的優先權的權益，該韓國專利申請的全部公開內容出于全部目的通過引用包含于此。

技術領域

以下描述涉及具有改善的諧波衰減特性的射頻開關設備。

背景技術

通常，功率放大器模塊(PAM)對從發送器輸出的射頻(RF)信號進行放大，并將放大的RF信號輸出至天線。為了支持各種頻帶，PAM可以包括功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、頻帶選擇開關、多個濾波器以及天線開關模塊(ASM)。

PAM的濾波器可以是表面聲波(SAW)濾波器或體聲波(BAW)濾波器，并且可以根據正被使用的頻帶的數量被稱作雙工器、三工器、四工器或者其他適合的名稱。

頻帶選擇開關可以具有根據功率放大器(PA)和濾波器的構造而確定的形式，由于功率放大器通常被設計為在包括多個波段的寬頻帶中操作，因此頻帶選擇開關可以實現為單刀多擲開關，單刀多擲開關具有單個輸入端子以及分別連接至濾波器中的對應的濾波器的多個輸出端子。

頻帶選擇開關或天線開關模塊具有諸如插入損耗、隔離、功率容量以及二次諧波特性的各種性能指標。在這些性能指標中，二次諧波特性是用于評價頻帶選擇開關或天線開關模塊的線性的主要性能指標之一，尤其在濾波器和低噪聲放大器(LNA)之間的接收RX路徑中是更重要的性能指標。在頻帶選擇開關或天線開關模塊中，使用場效應晶體管(FET)的RF開關可以具有多級堆疊結構，其中，多個FET彼此連接以提供期望的功率容量。在多級堆疊結構中堆疊的FET的數量可以根據輸入信號的振幅而變化。

然而，應用至現有的開關設備的FET包括四個節點，即，柵極節點、源極節點、漏極節點和體節點，由于操作偏差或金屬路由偏差，在FET的漏極-體結電容Cdb和源極-體結電容Csb之間會出現電容的微小的差異，這些電容的差異會影響現有的開關設備的二次諧波特性。

發明名稱為“減少的FET的二次諧波的產生”的第9,461,037號美國專利中已經公開了用于校正FET的結電容器之間的電容上的差異的結構。然而，US9,461,037中公開的結構通過將FET形成為對稱結構使得在漏極-體結電容Cdb和源極-體結電容Csb中另外產生的寄生電容彼此相等來改善二次諧波特性。

然而，關于US9,461,037中公開的開關的結構，由漏極-體結電容Cdb和源極-體結電容Csb導致的相位差仍然存在。結果，即使在使漏極-體結電容Cdb和源極-體結電容Csb相等的情況下，由于在漏極-體結電容Cdb和源極-體結電容Csb上的電壓的大小彼此相等，而通過體和柵極的信號的相位不同，因此二次諧波特性也沒有被優化。

發明內容

提供本發明內容從而以簡化的形式介紹所選擇的構思，并在以下具體實施方式中進一步描述了所述構思。本發明內容不意圖限定所要求保護的主題的關鍵特征或本質特征，也不意圖用作輔助確定所要求保護的主題的范圍。