[發(fā)明專利]發(fā)光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810058016.6
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN108365068B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳昭興;王佳琨;莊文宏;曾咨耀;呂政霖
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/60;H01L33/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種發(fā)光元件，包含一半導體結(jié)構(gòu)，其包含一第一半導體層，一第二半導體層，及一活性層位于第一半導體層和第二半導體層之間；一環(huán)繞部位于半導體結(jié)構(gòu)上及/或環(huán)繞半導體結(jié)構(gòu)以露出第一半導體層的一表面；一第一絕緣結(jié)構(gòu)位于半導體結(jié)構(gòu)上，包含多個凸出部以覆蓋第一半導體層的表面的一部分及多個凹陷部以露出第一半導體層的表面的其它部分；一第一接觸部分形成于環(huán)繞部上，并通過多個凹陷部以接觸第一半導體層的表面的其它部分；一第一焊墊形成在半導體結(jié)構(gòu)上；以及一第二焊墊形成在半導體結(jié)構(gòu)上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件的一結(jié)構(gòu)，且特別是涉及一種包含一半導體結(jié)構(gòu)及一焊墊位于半導體結(jié)構(gòu)上的發(fā)光元件。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode,LED)為固態(tài)半導體發(fā)光元件，其優(yōu)點為功耗低，產(chǎn)生的熱能低，工作壽命長，防震，體積小，反應速度快和具有良好的光電特性，例如穩(wěn)定的發(fā)光波長。因此發(fā)光二極管被廣泛應用于家用電器，設(shè)備指示燈，及光電產(chǎn)品等。

發(fā)明內(nèi)容

一種發(fā)光元件包含一半導體結(jié)構(gòu)，其包含一第一半導體層，一第二半導體層，及一活性層位于第一半導體層和第二半導體層之間；一環(huán)繞部位于半導體結(jié)構(gòu)上及/或環(huán)繞半導體結(jié)構(gòu)以露出第一半導體層的一表面；一第一絕緣結(jié)構(gòu)位于半導體結(jié)構(gòu)上，包含多個凸出部以覆蓋第一半導體層的表面的一部分及多個凹陷部以露出第一半導體層的表面的其它部分；一第一接觸部分形成在環(huán)繞部上，并通過多個凹陷部以接觸第一半導體層的表面的其它部分；一第一焊墊形成在半導體結(jié)構(gòu)上；以及一第二焊墊形成在半導體結(jié)構(gòu)上。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例中所揭示的一發(fā)光元件2的上視圖；

圖2為沿著圖1的線B-B’所揭示的發(fā)光元件2的剖視圖；

圖3為沿著圖1的線C-C’所揭示的發(fā)光元件2的剖視圖；

圖4為圖1所揭示的發(fā)光元件2的各層上視圖；

圖5為本發(fā)明一實施例中所揭示的發(fā)光元件2的燒毀區(qū)域的上視圖；

圖6為傳統(tǒng)發(fā)光元件3的燒毀區(qū)域的上視圖；

圖7為一突波(surge)于過度電性應力(Electrical Over Stress,EOS)測試下的電壓波型圖；

圖8為突波(surge)的最大施加電壓對可導通的正向電壓(forward voltage,Vf)的一圖表；

圖9為突波(surge)的最大施加電壓對反向電流(reverse current,Ir)的一圖表；

圖10為本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置30的示意圖；

圖11為本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置4的示意圖。

符號說明

2 發(fā)光元件

3 傳統(tǒng)發(fā)光元件

4 發(fā)光裝置

10b 半導體疊層

11b 基板

20b、20b' 第一絕緣結(jié)構(gòu)

30 發(fā)光裝置

30b 透明導電層

40b 反射層

41b 阻障層

50b、50b' 第二絕緣結(jié)構(gòu)

60b 接觸層

60b' 接觸層

70b 第三絕緣結(jié)構(gòu)