[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810057093.X
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN108346646A
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設計）人: 貝杰翰;杜旺朱;姚民;金陽瑞;張民華;金東和;喬阿拉;安韶珍
• 申請（專利權）人: 艾馬克科技公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京寰華知識產(chǎn)權代理有限公司 11408
• 代理人: 林柳岑;穆文通

半導體裝置及其制造方法。一種半導體裝置包括低密度基板、位于所述低密度基板的空腔內(nèi)的高密度嵌體、第一半導體晶粒和第二半導體晶粒。所述第一半導體晶粒包括高密度凸塊和低密度凸塊。所述第二半導體晶粒包括高密度凸塊和低密度凸塊。所述第一半導體晶粒的高密度凸塊和第二半導體晶粒的高密度凸塊電連接到所述高密度嵌體。所述第一半導體晶粒的低密度凸塊和所述第二半導體晶粒的低密度凸塊電連接到所述低密度基板。

技術領域

本發(fā)明公開的各種實施例涉及一種半導體裝置及其制造方法。

相關申請案

本申請案主張于2017年1月23日在韓國知識產(chǎn)權局提交的韓國專利申請第10-2017-0010704號的優(yōu)先權且獲得的所有益處，并且其內(nèi)容通過引用整體并入本文。

背景技術

半導體封裝保護集成電路或晶片免受物理損壞和外部應力。另外，半導體封裝可以提供熱傳導路徑以有效地移除晶片中產(chǎn)生的熱量，并且還提供到例如印刷電路板的其它部件的電連接。

通過將常規(guī)和傳統(tǒng)方法與具有本申請的其余部分中提出的本發(fā)明的各態(tài)樣的這種系統(tǒng)進行比較，常規(guī)和傳統(tǒng)方法的限制和缺點對于本領域技術人士來說應該變得顯而易見。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一態(tài)樣是一種半導體裝置，包括：低密度基板；高密度嵌體，位于所述低密度基板中的空腔內(nèi)；第一半導體晶粒，包括高密度凸塊和低密度凸塊；以及第二半導體晶粒，包括高密度凸塊和低密度凸塊，其中所述第一半導體晶粒的所述高密度凸塊和所述第二半導體晶粒的所述高密度凸塊電連接到所述高密度嵌體，并且所述第一半導體晶粒的所述低密度凸塊和所述第二半導體晶粒的所述低密度凸塊電連接到所述低密度基板。在所述半導體裝置中，所述高密度嵌體包括具有一個或多個高密度電路圖案和一個或多個介電層的高密度重新分布結構；以及所述低密度基板包括具有一個或多個低密度電路圖案和一個或多個介電層的低密度重新分布結構。在所述半導體裝置中，所述高密度電路圖案電連接到所述高密度凸塊；以及所述低密度電路圖案電連接到所述低密度凸塊。在所述半導體裝置中，所述高密度嵌體包括底板和所述底板上的高密度重新分布結構；以及所述高密度重新分布結構的一個或多個高密度電路圖案電連接到所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒的所述高密度凸塊。在所述半導體裝置中，所述高密度嵌體進一步包括插入在所述一個或多個高密度電路圖案和所述高密度凸塊之間的高密度襯墊。所述半導體裝置還包括圍繞所述高密度襯墊的底部填充物。在所述半導體裝置中，所述低密度基板包括：第一介電層；通過所述第一介電層的低密度柱；以及在所述第一介電層和所述低密度柱之下的低密度重新分布結構；其中所述低密度柱被插入在所述低密度凸塊和所述低密度重新分布結構的一個或多個低密度電路圖案之間。在所述半導體裝置中，所述低密度基板包括：第一介電層；通過所述第一介電層的低密度柱；以及在所述第一介電層和所述低密度柱之下的低密度重新分布結構；其中所述低密度柱被插入在所述低密度凸塊和所述低密度重新分布結構的一個或多個低密度電路圖案之間；以及其中所述高密度襯墊的頂表面和所述低密度柱的頂表面是共平面。在所述半導體裝置中，所述高密度襯墊的所述頂表面、所述低密度柱的所述頂表面和所述第一介電層的頂表面是共平面。在所述半導體裝置中，所述低密度重新分布結構包括第二介電層；所述第一介電層和所述第二介電層包括樹脂；以及所述第一介電層包含比所述第二介電層更大量的無機填料。在所述半導體裝置中，所述低密度重新分布結構包括第二介電層；所述第一介電層包含環(huán)氧模塑化合物；以及所述第二介電層包括比所述環(huán)氧模塑化合物更軟的樹脂。在所述半導體裝置中，所述高密度嵌體的底表面接觸所述低密度重新分布結構的頂表面。在所述半導體裝置中，所述高密度嵌體的側(cè)表面接觸所述空腔的側(cè)表面。在所述半導體裝置中，所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒的所述高密度凸塊的高度以及所述第一半導體晶粒和所述第二半導體晶粒的所述低密度凸塊的高度相等。