[發(fā)明專利]薄膜晶體管的制作方法及薄膜晶體管、顯示模組

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810055650.4
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108511343A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 涂義品;黃秀頎
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/34;H01L29/786;H01L29/06;H01L27/32;G02F1/1368
• 代理公司: 上海波拓知識產(chǎn)權代理有限公司 31264
• 代理人: 劉萍萍

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：柵極層、絕緣層、半導體層、漏極、源極，與所述半導體層接觸的多晶硅層。

2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層為銦鎵鋅氧化物或氮化鎵。

3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述多晶硅層為本征多晶硅層。

4.根據(jù)權利要求1至3任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述絕緣層形成于所述柵極層上；

所述多晶硅層形成于所述絕緣層上；

所述半導體層形成于所述多晶硅層上；

所述源極形成于所述多晶硅層的一側，并且與所述半導體層接觸；

所述漏極形成于所述多晶硅層的另一側，并且與所述半導體層接觸。

5.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層與多晶硅層形成異質結。

6.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一柵極層、絕緣層、半導體層、漏極、源極及與所述半導體層接觸的多晶硅層；

根據(jù)所述柵極層、絕緣層、半導體層、漏極、源極及多晶硅層制作薄膜晶體管。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述半導體層為銦鎵鋅氧化物或氮化鎵。

8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述多晶硅層為本征多晶硅層。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述柵極層、絕緣層、半導體層、漏極、源極及多晶硅層制作薄膜晶體管，包括：

形成所述絕緣層于所述柵極層上；

形成所述多晶硅層于所述絕緣層上；

形成所述半導體層于所述多晶硅層上；

形成所述源極與所述漏極于所述半導體層與所述多晶硅層上。

10.一種顯示模組，其特征在于，包括如權利要求1至5任一項所述的薄膜晶體管。