[發明專利]一種有機發光裝置在審
| 申請號: | 201810055536.1 | 申請日: | 2018-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN108288636A | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發明(設計)人: | 劉勝芳;李雪原;董晴晴;閔超;蔡世星;田景文 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H05B33/12 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 王樂 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子像素 微腔 長度補償 有機發光裝置 波長 像素 子像素區域 發光效率 工藝難度 微腔結構 微腔效應 陣列分布 制備工藝 發光區 制備 | ||
本發明涉及一種有機發光裝置。包括陣列分布的若干像素,每一像素至少包括第一子像素和第二子像素,第一子像素和第二子像素都具有微腔結構,第一子像素包括第一微腔長度補償層,第二子像素包括第二微腔長度補償層,第一微腔長度補償層和第二微腔長度補償層的厚度不同,使得第一子像素和所述第二子像素發出波長范圍不同的光。本發明能夠通過調整不同子像素的微腔長度,選擇特定波長的光進行增強,可以在不同子像素區域上得到不同顏色的光,并由于微腔效應的增強效果,進一步提高發光效率。在制備工藝方面,相較于通過在不同子像素制備不同的發光區來得到不同顏色的子像素的方式,工藝難度大大降低。
技術領域
本發明涉及照明技術領域,特別是涉及一種有機發光裝置。
背景技術
有機發光(Organic Light Emitting Diode,以下簡稱OLED)照明為固態照明,是自主發光源,具有輕薄、面發光、延展性良好的特點。但目前OLED照明普遍存在發光效率低壽命短的問題,而且很難實現照明多色轉換的需求。現有技術為解決上述問題普遍采用多層發光層疊加的方式來提升亮度,但這樣照明的功耗會明顯提升,并增加工藝難度。還有從光學方面進行提升亮度,在襯底兩面分別制備內外光學取出膜來提升其器件的出光效率,但這樣會增加工藝的復雜度和難度,尤其是內取出層如柵格、微透鏡制備工藝難度大。如果要實現多色轉換需要在不同的子像素區域制備不同的發光區,導致蒸鍍工藝工序復雜,良率降低。
發明內容
基于此,有必要提供一種有機發光裝置,能夠在不增加使用功耗和OLED制備工藝難度的情況下,提高有機發光裝置的發光效率,并實現有機發光裝置的多色轉換的問題。
一種有機發光裝置,包括陣列分布的若干像素,其特征在于,每一所述像素至少包括第一子像素和第二子像素,所述第一子像素和所述第二子像素都具有微腔結構,所述第一子像素包括第一微腔長度補償層,所述第二子像素包括第二微腔長度補償層,所述第一微腔長度補償層和所述第二微腔長度補償層的厚度不同,使得所述第一子像素和所述第二子像素發出波長范圍不同的光。
上述有機發光顯示裝置,能夠通過調整不同子像素的微腔長度,選擇特定波長的光進行增強,可以在不同子像素區域上得到不同顏色的光,并由于微腔效應的增強效果,進一步提高發光效率。在制備工藝方面,相較于通過在不同子像素制備不同的發光區來得到不同顏色的子像素的方式,工藝難度大大降低。
在其中一個實施例中,所述第一子像素和所述第二子像素都具有膜層結構相同的發光區,所述發光區至少包括沿膜層厚度方向疊加的藍光發光層、綠光發光層、和紅光發光層。
本發明的各個子像素的發光區結構相同也可實現不同子像素的發光顏色不同,可大大簡化發光區的制備工藝。
在其中一個實施例中,所述有機發光裝置為頂發光結構,每一所述像素從頂部到底部依次至少包括:
頂部半透明陰極;
所述發光區,從頂部到底部依次至少包括電子注入層、電子傳輸層、所述藍光發光層、所述綠光發光層、所述紅光發光層、空穴傳輸層及空穴注入層;
微腔長度補償層,包括位于所述第一子像素中的所述第一微腔長度補償層和位于所述第二子像素中的所述第二微腔長度補償層;
透明陽極層,至少包括位于所述第一子像素中的第一子像素陽極和位于所述第二子像素中的第二子像素陽極;優選地,所述陽極的厚度范圍為10-20nm;
反射電極層,與所述頂部半透明陰極形成微腔;優選地所述反射電極層的厚度范圍為100-150nm。
在其中一個實施例中,所述第一微腔長度補償層能夠增強所述第一子像素中紅光的輸出強度,使得所述第一子像素發出紅光;優選地,所述第一微腔長度補償層的厚度范圍為70-80nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





