[發(fā)明專(zhuān)利]一種使用加強(qiáng)自旋霍爾效應(yīng)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810055467.4
• 申請(qǐng)日: 2018-01-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108320768A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭一民;戴瑾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海磁宇信息科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C11/16
• 分類(lèi)號(hào): G11C11/16;H01L43/08;H01L43/06;H01L27/22
• 代理公司: 上海容慧專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 31287
• 代理人: 于曉菁

1.一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元包括：磁性隧道結(jié)、自旋霍爾效應(yīng)層、自旋霍爾效應(yīng)加強(qiáng)層，所述自旋霍爾效應(yīng)層位于所述磁性隧道結(jié)和所述自旋霍爾效應(yīng)加強(qiáng)層之間；所述磁性隧道結(jié)由參考層、隧道勢(shì)壘層、記憶層組成，所述參考層和所述記憶層的磁化方向在面內(nèi)，所述記憶層緊鄰所述自旋霍爾效應(yīng)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述自旋霍爾效應(yīng)層采用過(guò)渡族金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述過(guò)渡族金屬層選自鉑、金、銀、鉭、鎢、鈀、鉿、銥、鋨、錸之中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述過(guò)渡族金屬層的厚度為5nm～1000nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述自旋霍爾效應(yīng)加強(qiáng)層采用軟磁材料層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述軟磁材料層的厚度為0.5nm～100nm。

7.一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，包括權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)單元和讀寫(xiě)電路。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，所述磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀操作時(shí)，在所述參考層和所述自旋霍爾效應(yīng)加強(qiáng)層之間加縱向電壓并測(cè)量所述存儲(chǔ)單元的電阻。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，所述磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，在所述自旋霍爾效應(yīng)層內(nèi)通電流，所述電流與所述自旋霍爾效應(yīng)層平行。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于，通過(guò)所述電流方向進(jìn)行不同的寫(xiě)操作。