[發明專利]一種使用加強自旋霍爾效應的磁性隨機存儲器

在審

• 申請號: 201810055463.6
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108400236A
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 郭一民;戴瑾
• 申請（專利權）人: 上海磁宇信息科技有限公司
• 主分類號: H01L43/06
• 分類號: H01L43/06;H01L43/08;G11C11/16
• 代理公司: 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287
• 代理人: 于曉菁

1.一種磁性隨機存儲器的存儲單元，其特征在于，所述存儲單元包括：磁性隧道結、自旋霍爾效應層、自旋霍爾效應加強層，所述自旋霍爾效應層位于所述磁性隧道結和所述自旋霍爾效應加強層之間；所述磁性隧道結由參考層、隧道勢壘層、記憶層組成，所述參考層的磁化方向與所述參考層的延伸面垂直，所述記憶層的磁化方向與所述記憶層的延伸面垂直，所述記憶層緊鄰所述自旋霍爾效應層。

2.根據權利要求1所述的一種磁性隨機存儲器的存儲單元，其特征在于，所述自旋霍爾效應層采用過渡族金屬層。

3.根據權利要求2所述的一種磁性隨機存儲器的存儲單元，其特征在于，所述過渡族金屬層選自鉑、金、銀、鉭、鎢、鈀、鉿、銥、鋨、錸之中的一種。

4.根據權利要求2所述的一種磁性隨機存儲器的存儲單元，其特征在于，所述過渡族金屬層的厚度為5nm～1000nm。

5.根據權利要求1所述的一種磁性隨機存儲器的存儲單元，其特征在于，所述自旋霍爾效應加強層采用軟磁材料層。

6.根據權利要求5所述的一種磁性隨機存儲器的存儲單元，其特征在于，所述軟磁材料層的厚度為0.5nm～100nm。

7.一種磁性隨機存儲器，其特征在于，包括權利要求1～6任一項所述的存儲單元和讀寫電路。

8.根據權利要求7所述的一種磁性隨機存儲器，其特征在于，所述磁性隨機存儲器進行讀操作時，在所述參考層和所述自旋霍爾效應加強層之間加讀操作縱向電壓并測量所述存儲單元的電阻。

9.根據權利要求7所述的一種磁性隨機存儲器，其特征在于，所述磁性隨機存儲器進行寫操作時，在所述自旋霍爾效應層內通電流，所述電流與所述自旋霍爾效應層平行，在所述參考層和所述自旋霍爾效應加強層之間加寫操作縱向電壓，通過所述寫操作縱向電壓的方向來選擇不同的寫操作。