[發明專利]一種雙輸出低溫漂基準電壓源

在審

• 申請號: 201810054578.3
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN107967022A
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 岳宏衛;孫曉菲;劉俊昕;徐衛林;李海鷗;段吉海;韋雪明;龔全熙;蘭雨嬌;班艷春
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種雙輸出低溫漂基準電壓源，包括基準電壓源本體，其特征是，基準電壓源本體由并聯于電源VDD與地GND之間的啟動電路、電流產生電路和雙輸出基準電壓產生電路組成；其中啟動電路的輸出端接電流產生電路的輸入端，電流產生電路的輸出端接雙輸出基準電壓產生電路的輸入端；

所述雙輸出基準電壓產生電路由MOS管M11-M17和電容C1-C3組成；MOS管M11和MOS管M12的源極與電源VDD連接；MOS管M11的柵極與MOS管M12的柵極連接后，作為雙輸出基準電壓產生電路的輸入端；MOS管M13的漏極與MOS管M11的漏極連接；MOS管M12的漏極與MOS管M14的漏極連接；MOS管M13的柵極與漏極共接后與MOS管M14柵極連接；MOS管M13的源極與地GND連接；MOS管M14的源極與MOS管M15的漏極連接；MOS管M15的柵極與漏極共接后，經過電容C3與地GND連接；MOS管M15的源極與MOS管M16的漏極連接；MOS管M16柵極與漏極共接后作為整個基準電壓源本體的第一輸出端，輸出基準電壓V_ref1；電容C2并聯于MOS管M17柵極與地GND之間；MOS管M16的源極與MOS管M17的漏極連接；MOS管M17的柵極與漏極共接后作為整個基準電壓源本體的第二輸出端，輸出基準電壓V_ref2；電容C1并聯于MOS管M16柵極與地GND之間；MOS管M17的源極與地GND連接。

2.根據權利要求1所述的一種雙輸出低溫漂基準電壓源，其特征是，雙輸出基準電壓產生電路的MOS管M13是3.3V的MOS管，MOS管M14-M17是1.8V的MOS管。

3.根據權利要求1所述的一種雙輸出低溫漂基準電壓源，其特征是，雙輸出基準電壓產生電路的電容C1-C3為普通電容。

4.根據權利要求1所述的一種雙輸出低溫漂基準電壓源，其特征是，所述啟動電路由MOS管M1-M4和電容C0組成；MOS管M1和MOS管M2的源極與電源VDD連接；MOS管M3的源極與地GND連接；MOS管M1的柵極與漏極共接后經電容C0與地GND相接；MOS管M2的柵極和MOS管M3的柵極共接后與MOS管M1的漏極連接；MOS管M2的漏極和MOS管M3的漏極共接后與MOS管M4的源極連接；MOS管M4的柵極與MOS管M3的柵極連接；MOS管M4的漏極作為啟動電路的輸出端。

5.根據權利要求4所述的一種雙輸出低溫漂基準電壓源，其特征是，啟動電路的電容C0為普通電容。

6.根據權利要求1所述的一種雙輸出低溫漂基準電壓源，其特征是，所述電流產生電路由MOS管M5-M10和電阻R0組成；MOS管M5和MOS管M6的源極與電源VDD連接；MOS管M9的源極與地GND連接；MOS管M10的源極經電阻R0與地GND連接；MOS管M5的漏極與MOS管M7的漏極連接；MOS管M7的源極與MOS管M9的漏極連接；MOS管M6的漏極與MOS管M8的漏極連接；MOS管M8的源極與MOS管M10的漏極連接；MOS管M6的柵極與漏極共接后與MOS管M5的柵極連接；MOS管M7的柵極與漏極共接后與MOS管M8的柵極連接；MOS管M9的柵極與漏極共接后與MOS管M10的柵極連接；MOS管M5的漏極作為電流產生電路的輸入端，MOS管M6的漏極作為電流產生電路的輸出端。

7.根據權利要求6所述的一種雙輸出低溫漂基準電壓源，其特征是，電阻R0為高摻雜多晶硅電阻。