[發明專利]一種使用參考電壓的MRAM讀出電路有效
| 申請號： | 201810054203.7 | 申請日： | 2018-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN108182957B | 公開（公告）日： | 2023-10-03 |
| 發明（設計）人： | 戴瑾 | 申請（專利權）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/16 | 分類號： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于曉菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 使用 參考 電壓 mram 讀出 電路 | ||
1.一種使用參考電壓的MRAM讀出電路，包括參考電壓產生器、參考電阻組合和比較器，其特征在于，
所述參考電壓產生器用于對每一個MRAM芯片進行產線測試時設定參考電壓，輸出參考電壓，所述參考電壓產生器的輸出點設為B點；
所述參考電阻組合由多個相同的參考電阻組成，每一個所述參考電阻的一端與一個存儲單元x(x＝1、2、…)串聯，串聯連接點為Ax(x＝1、2、…)；
所述存儲單元x(x＝1、2、…)的另一端連接基準電壓V_b，在進行讀操作時，所述參考電阻的另一端在所述基準電壓V_b的基礎上增加一個電壓V_read；
所述比較器位于所述Ax和B兩點之間，通過比較所述兩點之間的電壓差來決定所述存儲單元x(x＝1、2、…)是在P狀態還是AP狀態。
2.如權利要求1所述的使用參考電壓的MRAM讀出電路，其特征在于，所述參考電壓產生器是可配置的，所述可配置參考電壓產生器根據所述MRAM芯片內溫度傳感器產生的溫度變化調整所述參考電壓。
3.如權利要求1所述的使用參考電壓的MRAM讀出電路，其特征在于，所述參考電壓產生器是可配置的，所述可配置參考電壓產生器輸入所述MRAM存儲單元的陣列行地址，根據所述行地址調整所述參考電壓。
4.如權利要求1-3任一所述的使用參考電壓的MRAM讀出電路，其特征在于，所述V_read的取值范圍為(-250mV，250mV)。
5.一種使用參考電壓的MRAM讀出電路，包括參考電壓產生器、參考電阻組合和比較器，其特征在于，每一個所述存儲單元配備一個所述參考電壓產生器，對每一條讀出通道單獨進行調整。
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