[發(fā)明專利]裝配薄膜光電子器件的工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810054202.2 | 申請日： | 2014-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN108198875A | 公開（公告）日： | 2018-06-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 斯蒂芬·R·弗里斯特;李圭相 | 申請（專利權(quán)）人： | 密歇根大學(xué)董事會 |
| 主分類號： | H01L31/0232 | 分類號： | H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 韓峰;孫志湧 |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 器件區(qū) 主基板 第二金屬層 第一金屬層 接合 晶圓 薄膜光電子器件 犧牲層 沉積 裝配 熔化 溫度高于室溫 生長表面 生長 金屬箔 | ||
1.一種裝配薄膜光電子器件的工藝，包括：
提供生長結(jié)構(gòu)，所述生長結(jié)構(gòu)包括具有生長表面的晶圓、犧牲層和器件區(qū)，其中所述犧牲層被置于所述晶圓與所述器件區(qū)之間，并且其中所述器件區(qū)具有最遠離所述晶圓的表面；
提供主基板，其中所述主基板包含金屬箔；
在所述器件區(qū)的表面上沉積第一金屬層；
在所述主基板上沉積第二金屬層；
通過在接合溫度下將所述第一金屬層和所述第二金屬層壓在一起來使所述第一金屬層接合至所述第二金屬層，其中所述接合溫度高于室溫且低于所述主基板的熔化溫度和500℃中的較低者。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述接合溫度高于150℃且低于270℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述接合是在真空下執(zhí)行的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中在1MPa與40MPa內(nèi)的接合壓力下將所述第一金屬層和所述第二金屬層壓在一起。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層獨立地包含貴金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層包含相同的貴金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的工藝，其中所述貴金屬選自Au和Cu。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝，其中所述貴金屬為Au并且所述接合溫度為在50°-280℃的范圍內(nèi)的溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中將所述第一金屬層和所述第二金屬層壓在一起達1秒-20分鐘的范圍內(nèi)的時間。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于密歇根大學(xué)董事會，未經(jīng)密歇根大學(xué)董事會許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810054202.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
