[發明專利]一種基于納米晶自組裝的微腔生長方法有效
| 申請號： | 201810054032.8 | 申請日： | 2018-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN108193272B | 公開（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發明（設計）人： | 張龍;周純;董紅星;虞杰;常浩;唐冰;周貝爾 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B7/08;C30B7/14;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 張寧展 |
| 地址： | 201800 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 納米 組裝 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于納米晶自組裝的微腔生長方法，其特征在于該方法包括下列步驟：
步驟1)鈣鈦礦量子點鈍化處理，具體步驟如下：
①將PbBr2，十八烯，油胺，油酸，油酸銫以摩爾比5:250～350：50～100:20～50：1配制原料；
②將PbBr2，十八烯，油胺，油酸加入到三口燒瓶中，在80～120℃下脫氣10～20min，并在80～120℃下加熱以充分混合，然后在Ar氣氣氛中升溫至170～190℃并保持10～20min，油酸銫快速注入到所述三口燒瓶中，5s后，將三口燒瓶放入0℃冰水浴中快速冷卻；
③將得到的CsPbBr3量子點離心分離，并溶解在甲苯中，得到單分散的膠體量子點；
步驟2)低溫沉積處理：將單分散膠體量子點存放于棕色小瓶中，避光放在4～10℃的低溫下，15～30天后得到低溫沉積量子點，基片材質為單晶硅片；
步驟3)獲取微腔結構：將所述的低溫沉積量子點用吸管吸取少量，滴在基片上，讓甲苯自然揮發，待揮發完全后，在基片上形成微腔結構。
2.根據權利要求1所述的基于納米晶自組裝的微腔生長方法，其特征在于在鈣鈦礦量子點合成的過程中添加油胺量為油酸添加量的1～4倍。
3.根據權利要求1所述基于納米晶自組裝的微腔生長方法，其特征在于沉積溫度為4～10℃。
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