[發明專利]一種陽極刻蝕的方法及顯示屏

有效

• 申請號: 201810053802.7
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108565358B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 金玉;鄧世剛;鮑智利;陸蘊雷;陶肖朋;楊爽
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505
• 代理人: 孟潭

1.一種陽極刻蝕的方法，其特征在于，所述方法包括：

在陽極平坦化層表面形成凹槽，其中通過陽極平坦化層半曝光掩膜板形成所述凹槽，其中所述平坦化層半曝光掩模板包括：全透區域、半透區域和不透區域，所述半透區域包括邊緣補償區域，在所述陽極平坦化半曝光掩模板的所述半透區域的邊緣范圍內包括透過率過渡增大區域，在所述透過率過渡增大區域內由凹槽中心向邊緣方向的透過率漸變增大，以控制陽極平坦化層的凹槽邊緣形成坡度角，其中所述坡度角的角度為80-90度；以及

在所述凹槽中形成陽極，包括：

在所述陽極平坦化層表面制備陽極膜，其中，所述半透區域對應的所述陽極平坦化層的凹槽的槽深與所述陽極膜的厚度保持在同一個量級；

在所述陽極膜表面形成陽極膜刻蝕掩模板，其中，所述陽極膜刻蝕掩模板包括刻蝕圖案和與所述刻蝕圖案匹配的遮蔽圖案，所述陽極膜刻蝕掩模板的所述遮蔽圖案與所述凹槽的圖案相對應完全覆蓋在所述凹槽上；

對所述陽極膜進行濕法刻蝕，消除所述凹槽之外的所述陽極膜，其中所述濕法刻蝕后保留的所述陽極膜和所述陽極平坦化層保持水平一致。

2.根據權利要求1所述陽極刻蝕的方法，其特征在于，所述陽極與所述凹槽的側壁緊密接觸。

3.根據權利要求1所述陽極刻蝕的方法，其特征在于，進一步包括：所述刻蝕圖案的內邊緣輪廓大于所述凹槽的邊緣輪廓。

4.一種顯示屏，其特征在于，所述顯示屏包括如權利要求1至3任一陽極刻蝕的方法形成的陣列基板。