[發明專利]一種可調電壓的MRAM讀出電路

有效

• 申請號: 201810053311.2
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108288481B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 戴瑾
• 申請（專利權）人: 上海磁宇信息科技有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287
• 代理人: 于曉菁

1.一種可調電壓的MRAM讀出電路，包括電流鏡、參考單元組、控制限流單元和運算放大器OP Amp，其特征在于，

所述電流鏡由等同的PMOS管組成，其中，每一路所述 PMOS管的電流均為I_read，電阻的差別造成V_out和V_out_n的差別，被輸入到下一級的比較器產生輸出；

所述參考單元組包括一組并聯的參考單元，部分置于P狀態，另外的置于AP狀態；所述參考單元組一端接地另外一端連接所述控制限流單元，連接點為A；

所述控制限流單元由同樣的鉗位電壓V_clamp控制的一組等同的NMOS管組成，所述鉗位電壓V_clamp用于控制所述NMOS管的電阻，保護存儲單元和參考單元不被施加高電壓影響穩定性；

所述運算放大器OP Amp的一個輸入為參考電壓V_read，另一個輸入為所述A點的電位V_A，所述運算放大器OP Amp的輸出連接到所述鉗位電壓V_clamp，通過反饋效應，控制加在所述參考單元上的電壓穩定在V_read左右。

2.如權利要求1所述的可調電壓的MRAM讀出電路，其特征在于，所述讀出電路還包括可配置的參考電壓產生器，所述可配置的參考電壓產生器輸出所述參考電壓V_read。

3.如權利要求2所述的可調電壓的MRAM讀出電路，其特征在于，所述可配置的參考電壓產生器通過所述MRAM的寄存器配置對所述V_read進行調整。

4.如權利要求2所述的可調電壓的MRAM讀出電路，其特征在于，所述可配置的參考電壓產生器輸入所述MRAM芯片內的溫度傳感器的溫度，根據所述溫度調整所述參考電壓V_read。