[發明專利]存儲器件、存儲系統及其操作方法

有效

• 申請號: 201810053281.5
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108345514B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 趙上球;權正賢;李圣恩
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G06F12/02
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

提供一種存儲器件。該存儲器件包括多個正常存儲塊；以及至少兩個或更多個壞存儲塊，其中，具有與要儲存在正常存儲塊中的數據相同比特位數的數據和具有為要儲存在正常存儲塊中的奇偶校驗碼的比特位數的至少兩倍的比特位數的奇偶校驗碼被儲存在壞存儲塊之中的第一壞存儲塊和第二壞存儲塊中。

相關申請的交叉引用

本申請要求2017年1月23日提交的申請號為10-2017-0010342的韓國專利申請的優先權，其公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

本專利文件涉及存儲器件、包括該存儲器件的存儲系統及其操作方法。

背景技術

可以對存儲器件(諸如NAND快閃存儲器和相變隨機存取存儲器(PCRAM))的單個存儲單元執行的寫入操作的次數是有限的。例如，典型PCRAM中的寫入操作的次數可以被限制在從約10⁶次到約10⁸次操作的范圍內。因此，當寫入操作集中在特定的單元或單元區域時，存儲器件的壽命可能急劇縮短。為了防止對存儲器件的特定單元或單元區域的寫入操作的集中，通常執行損耗均衡操作以均衡對存儲器件的所有單元區域的寫入操作的性能。針對損耗均衡廣泛使用的方法是通過改變邏輯地址與物理地址之間的地址映射來實現存儲器件的所有單元區域之間的寫入操作的更均勻的分配。

存儲器件可以包括被稱為存儲塊的多個存儲區域。當用于存儲塊的寫入操作的次數超過閾值時或者當存儲塊具有物理缺陷時，那么存儲塊將不能正常操作，并可能產生太多錯誤。迄今為止，通常，這樣的存儲塊被識別為壞存儲塊，并且被排除在任何進一步的讀取操作和寫入操作之外。

發明內容

本發明的各種實施例涉及改進的存儲器件、包括該存儲器件的存儲系統及其操作方法，所述改進的存儲器件能夠可靠地使用壞存儲塊(即，不影響已處理數據的可靠性)。

根據一些實施例，一種存儲器件可以包括多個正常存儲塊；以及至少兩個或更多個壞存儲塊，其中，具有與要儲存在正常存儲塊中的數據相同比特位數的數據和具有為要儲存在正常存儲塊中的奇偶校驗碼的比特位數的至少兩倍的比特位數的奇偶校驗碼被儲存在壞存儲塊之中的第一壞存儲塊和第二壞存儲塊中。

第一壞存儲塊和第二壞存儲塊可以被一起訪問。

當第一壞存儲塊的第K頁、第二壞存儲塊的第K頁可以被一起訪問時，K是等于或大于1且等于或小于N的正整數，并且N是第一壞存儲塊中的頁數。

數據和用于校正數據的錯誤的第一奇偶校驗碼可以被儲存在第一壞存儲塊的第K頁中，而用于校正儲存在第一壞存儲塊的第K頁中的數據和第一奇偶校驗碼的錯誤的第二奇偶校驗碼可以被儲存在第二壞存儲塊的第K頁中。

根據另外的實施例，一種存儲系統的操作方法可以包括：確定對存儲器件的壞存儲塊的寫入操作；產生用于校正要儲存在壞存儲塊之中的第一壞存儲塊中的信息的錯誤的第一奇偶校驗碼；將信息寫入第一壞存儲塊的第K頁中，其中，K是等于或大于1且等于或小于N的正整數，并且N是第一壞存儲塊中的頁數；以及將第一奇偶校驗碼寫入壞存儲塊之中的第二壞存儲塊的第K頁中。

信息可以包括數據。

信息還可以包括用于校正數據的錯誤的第二奇偶校驗碼。

該操作方法還可以包括：確定對存儲器件的壞存儲塊的讀取操作；從第一壞存儲塊的第K頁中讀取信息；從第二壞存儲塊的第K頁中讀取第一奇偶校驗碼；以及使用第一奇偶校驗碼來校正信息的錯誤。

信息包括數據和用于校正數據的錯誤的第二奇偶校驗碼。該操作方法還可以包括在校正信息的錯誤之后使用第二奇偶校驗碼來校正數據的錯誤。