[發明專利]一種提升SSD讀性能的方法及系統

有效

• 申請號: 201810052843.4
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108132760B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 張麗;彭鵬;姜黎
• 申請（專利權）人: 湖南國科微電子股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F12/1009
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種提升SSD讀性能的方法，其特征在于，所述方法包括：

根據讀命令對應的所讀數據的長度和所處邏輯頁，向FTL層發起讀請求；

FTL層根據接收到的讀請求向NFC層發起二次讀請求；

NFC根據所述二次讀請求中的讀命令是否存在4K讀標記，選擇不同的模式來讀Flash數據。

2.根據權利要求1所述的提升SSD讀性能的方法，其特征在于，所述根據讀命令對應的所讀數據的長度和所處邏輯頁，向FTL層發起讀請求，包括：

如果所讀數據長度是4K或小于4K且所讀數據范圍都在同一邏輯頁，則標記讀命令為4K讀，并向FTL層發起讀請求；

如果所讀數據長度是大于4K和/或所讀數據范圍不在同一邏輯頁，則不作標記，并向FTL層發起讀請求。

3.根據權利要求2所述的提升SSD讀性能的方法，其特征在于，所述FTL層根據接收到的讀請求向NFC層發起二次讀請求，包括：

所述FTL層獲取所讀數據所處邏輯頁對應的邏輯頁地址；

將所述邏輯頁地址轉換為Flash物理地址；

根據所述物理地址向所述NFC層發起讀請求。

4.根據權利要求1所述的提升SSD讀性能的方法，其特征在于，所述NFC根據所述二次讀請求中的讀命令是否存在4K讀標記，選擇不同的模式來讀Flash數據，包括：

如果所述讀命令存在4K讀標記，切換到普通單頁讀模式；

如果所述讀命令不存在4K讀標記，向Flash發送多頁并發讀請求。

5.根據權利要求4所述的提升SSD讀性能的方法，其特征在于，所述切換到普通單頁讀模式包括：

判斷所述讀命令是否滿足快速讀操作；

如果所述讀命令滿足快速讀操作，則向Flash發送快讀操作請求；

如果所述讀命令不滿足快速讀操作，則向Flash發送單頁讀命令。

6.一種提升SSD讀性能的系統，其特征在于，所述系統包括：

第一讀請求模塊，用于根據讀命令對應的所讀數據的長度和所處邏輯頁，向FTL層發起讀請求；

第二讀讀請求模塊，用于FTL層根據接收到的讀請求向NFC層發起二次讀請求；

讀命令處理模塊，用于NFC根據所述二次讀請求中的讀命令是否存在4K讀標記，選擇不同的模式來讀Flash數據。

7.根據權利要求6所述的提升SSD讀性能的系統，其特征在于，所述第一讀請求模塊包括：

讀命令處理單元，用于如果所讀數據長度是4K或小于4K且所讀數據范圍都在同一邏輯頁，則標記讀命令為4K讀；如果所讀數據長度是大于4K和/或所讀數據范圍不在同一邏輯頁，則不作標記；

第一讀請求單元，用于向FTL層發起讀請求。

8.根據權利要求7所述的提升SSD讀性能的系統，其特征在于，所述第二讀讀請求模塊包括：

獲取單元，用于所述FTL層獲取所讀數據所處邏輯頁對應的邏輯頁地址；

轉換單元，用于將所述邏輯頁地址轉換為Flash物理地址；

第二讀請求單元，用于根據所述物理地址向所述NFC層發起讀請求。

9.根據權利要求6所述的提升SSD讀性能的系統，其特征在于，所述讀命令處理模塊包括：

判斷單元，用于判斷所述讀命令是否存在4K讀標記；

第一切換單元，用于如果所述讀命令存在4K讀標記，切換到普通單頁讀模式；

第二切換單元，用于如果所述讀命令不存在4K讀標記，向Flash發送多頁并發讀請求。

10.根據權利要求9所述的提升SSD讀性能的系統，其特征在于，所述第一切換單元包括：

判斷子單元，用于判斷所述讀命令是否滿足快速讀操作；

第一讀請求子單元，用于如果所述讀命令滿足快速讀操作，則向Flash發送快讀操作請求；

第二讀請求子單元，用于如果所述讀命令不滿足快速讀操作，則向Flash發送單頁讀請求。