[發(fā)明專利]像素單元及其制造方法以及成像裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810052213.7
• 申請(qǐng)日: 2018-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN108257996A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳世杰;北村陽介;黃曉櫓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種像素單元，其特征在于，包括：

襯底，包括用于光電器件的第一部分和用于與所述光電器件耦合的晶體管的第二部分，其中

所述第一部分在所述襯底表面處具有第一表面，并且所述第一部分包括第一摻雜區(qū)；

所述第二部分包括：

溝道形成區(qū)，與所述第一摻雜區(qū)相鄰，所述溝道形成區(qū)的導(dǎo)電類型與所述第一摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型相反，以及

與溝道形成區(qū)相鄰的第二摻雜區(qū)；

在所述襯底之上且至少覆蓋所述第一表面的至少一部分的調(diào)節(jié)絕緣層；以及

至少在所述第一表面的所述至少一部分之上的調(diào)節(jié)電極層，所述調(diào)節(jié)絕緣層插入在二者之間。

2.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，其中所述調(diào)節(jié)絕緣層包括：

在所述第一表面之上的第一層，所述第一層由非高k材料的電介質(zhì)材料形成；以及

在所述第一層之上的第二層，所述第二絕緣層由包含金屬元素的高k材料形成。

3.如權(quán)利要求1或2所述的像素單元，其特征在于，其中所述第一部分還包括：

在第一摻雜區(qū)之下的第三摻雜區(qū)，

其中，所述第一摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型與所述第三摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型相同。

4.如權(quán)利要求1或2所述的像素單元，其特征在于，其中所述第一部分還包括：

在第一摻雜區(qū)之下的第三摻雜區(qū)，以及

在第一摻雜區(qū)之上的第四摻雜區(qū)，

其中，所述第一摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型與所述第三摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型相同，但與第四摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型相反。

5.如權(quán)利要求4所述的像素單元，其特征在于，所述第一部分還包括：

第五摻雜區(qū)，在所述第一摻雜區(qū)之上并在所述第四摻雜區(qū)和所述溝道形成區(qū)之間，

其中所述第五摻雜區(qū)與所述第四摻雜區(qū)導(dǎo)電類型相同。

6.如權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，還包括：開口，所述開口露出所述第一表面的所述至少一部分，其中

所述第一層形成在所述開口的側(cè)壁和所述第一表面的所述至少一部分上；

所述第二層形成在所述第一層之上；并且

其中，所述調(diào)節(jié)電極層形成在所述第二層上，以填充所述開口。

7.如權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，還包括：

開口，所述開口露出所述第一層的至少一部分，其中

所述第二層形成在所述開口的側(cè)壁和所述第一層的所述至少一部分上；并且

其中，所述調(diào)節(jié)電極層形成在所述第二層上，以填充所述開口。

8.如權(quán)利要求6或7所述的像素單元，其特征在于，還包括：

在所述開口外側(cè)的第三絕緣膜；或者

在所述開口的外側(cè)的隔離物以及在所述隔離物外側(cè)的第三絕緣膜。

9.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，其中所述像素單元還包括在溝道形成區(qū)之上的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：

在所述溝道形成層之上的柵極絕緣層，

在所述柵極絕緣層之上的柵極，以及

用于柵極的隔離物。

10.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，其中：

所述第一摻雜區(qū)作為所述晶體管的源極區(qū)和漏極區(qū)中的一個(gè)，并且

所述第二摻雜區(qū)作為所述晶體管的源極區(qū)和漏極區(qū)中的另一個(gè)。