[發(fā)明專利]多晶硅薄膜的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810052171.7 | 申請日： | 2018-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN108493094B | 公開（公告）日： | 2021-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱陽杰;李俊峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264 | 代理人： | 楊波 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 薄膜 制作方法 | ||
1.一種多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板的上表面利用溶液法形成量子點層，其中，通過控制量子點的溶液濃度和涂布速度調(diào)節(jié)量子點的密度；
在所述量子點層上形成非晶硅薄膜；以及
將所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化，以形成多晶硅薄膜；
其中，所述量子點層中的量子點密度均勻，所述密度均勻的量子點用于作為誘導(dǎo)非晶硅晶化的晶籽；
所述量子點為水溶性量子點或非水溶性量子點，其中，所述水溶性的量子點為Ⅱ-Ⅵ族水溶性的CdSe、ZnO、PbS、CdTe中的一種；或者，
所述量子點為硅量子點。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，利用溶液法或化學(xué)氣相沉積法在所述基板的上表面形成量子點層。
3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述量子點層的厚度在1-2nm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述量子點層中的量子點的直徑在2-5nm之間。
5.如權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，采用準(zhǔn)分子激光退火法將所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化。
6.如權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，利用化學(xué)氣相沉積法在所述量子點層上形成非晶硅薄膜。
7.如權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述基板包括襯底、形成于所述襯底的上表面的氮化硅層、形成于所述氮化硅層的上表面的氧化硅層。
8.如權(quán)利要求7所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，利用化學(xué)氣相沉積法在所述襯底的上表面形成氮化硅層，并利用化學(xué)氣相沉積法在所述氮化硅層的上表面形成氧化硅層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于昆山國顯光電有限公司，未經(jīng)昆山國顯光電有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810052171.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
