[發明專利]背照式圖像傳感器的背面結構及制備方法

有效

• 申請號: 201810050421.3
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN108281437B
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 曹靜;胡勝
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;李相雨

1.一種背照式圖像傳感器的背面結構，其特征在于，包括：襯底，所述襯底包括凹槽和光電二極管預制備區；

所述凹槽的底部下方填埋有一金屬互聯層；

第一介質層，覆蓋所述光電二極管預制備區處的所述襯底的表面；

氧化層，覆蓋所述凹槽的底部和側壁，并且覆蓋所述第一介質層的表面；

開口，同時穿過所述凹槽內的所述氧化層和所述凹槽的底部的所述襯底，且終止于所述金屬互聯層；

金屬墊，在所述凹槽內部覆蓋所述氧化層的一部分，并填充所述開口且與所述金屬互聯層接觸；

金屬墊隔離層，形成于所述金屬墊表面，用于將所述金屬墊與外界環境進行隔離；

所述金屬墊隔離層為采用所述金屬墊對應的金屬材料的氧化物制成的隔離層。

2.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器的背面結構，其特征在于，所述金屬墊為金屬鋁墊，所述金屬墊隔離層為采用金屬鋁的氧化物制成的隔離層。

3.根據權利要求2所述的背照式圖像傳感器的背面結構，其特征在于，所述金屬鋁的氧化物為三氧化二鋁。

4.根據權利要求1～3任一項所述的背照式圖像傳感器的背面結構，其特征在于，所述金屬墊隔離層的厚度為5nm-10nm。

5.一種背照式圖像傳感器的背面結構的制備方法，其特征在于，包括：

S1、制備一襯底，所述襯底包括光電二極管預制備區以及填埋于所述襯底內部的金屬互聯層；

S2、于所述襯底的表面覆蓋第一介質層；

S3、于所述第一介質層的表面覆蓋第一氧化層；

S4、開設一凹槽，所述凹槽穿過所述第一氧化層、所述第一介質層和所述襯底的一部分，終止于所述金屬互聯層的上方且與所述金屬互聯層相距預設距離；

S5、于所述凹槽的底部和側壁以及所述光電二極管預制備區處的第一氧化層的表面覆蓋第二氧化層；

S6、同時穿過所述凹槽底部的所述第二氧化層和所述凹槽的底部的所述襯底形成開口，所述開口終止于所述金屬互聯層；

S7、制備金屬層覆蓋所述第二氧化層并填充所述開口且與所述金屬互聯層接觸；

S8、制備隔離層覆蓋所述金屬層；

S9、圖形化所述隔離層和金屬層，以于所述凹槽內形成一金屬墊以及在所述金屬墊表面形成一金屬墊隔離層；

其中，所述金屬墊隔離層為采用所述金屬墊對應的金屬材料的氧化物制成的隔離層。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

應用含氟離子的清洗液，對形成有所述金屬墊隔離層的金屬墊進行清洗的步驟。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述金屬墊為金屬鋁墊，所述金屬墊隔離層為采用金屬鋁的氧化物制成的隔離層。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述金屬鋁的氧化物為三氧化二鋁。