[發明專利]離子植入機及其使用方法

在審

• 申請號: 201810049885.2
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN108231523A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 邸太平;洪紀倫;倪明明;吳宗祐;林宗賢
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種離子植入機，其特征在于，包括：

離子源；

裝載裝置，經過所述裝載裝置中心與離子源中心的直線為中心軸；

位于離子源和裝載裝置之間的處理腔室，所述處理腔室的兩側分別具有與離子源對應第一開口、以及與裝載裝置對應的第二開口，且所述第一開口的中心和第二開口的中心在所述中心軸上；

位于處理腔室內的磁場裝置，所述磁場裝置包括永磁體以及線圈，所述磁場裝置用于產生垂直于所述中心軸的矯正磁場。

2.如權利要求1所述的離子植入機，其特征在于，所述裝載裝置包括若干載具，所述載具用于裝載晶圓，使所裝載的晶圓表面垂直于所述中心軸并朝向所述第二開口；若干載具圍繞上述中心軸均勻分布；晶圓的直徑為300毫米；所裝載的晶圓中心到中心軸的距離為155毫米～175毫米。

3.如權利要求2所述的離子植入機，其特征在于，所述離子源的掃描范圍為：610毫米～650毫米。

4.如權利要求1所述的離子植入機，其特征在于，所述磁場裝置產生的磁場強度為：0.006特斯拉～0.06特斯拉；所述永磁鐵的磁場強度為：0.004特斯拉～0.02特斯拉。

5.如權利要求1所述的離子植入機，其特征在于，若干所述磁場裝置對稱分布于所述中心軸兩側；所述線圈的中軸線垂直于所述中心軸；位于中心軸同一側的若干線圈沿平行于中心軸方向上平行排列；所述永磁鐵的中軸線平行于所述中心軸。

6.如權利要求1所述的離子植入機，其特征在于，位于中心軸兩側的若干所述磁場裝置包括自離子源向裝載裝置方向分布的第一區和第二區；若干所述線圈包括朝向所述中心軸方向的第一端；在磁場裝置的第一區中，位于中心軸兩側的線圈第一端極性相反；在磁場裝置的第二區中，位于中心軸兩側的線圈第一端極性相反；位于所述中心軸同一側的若干線圈中，位于第一區的線圈第一端與位于第二區的線圈第一端極性相反。

7.如權利要求6所述的離子植入機，其特征在于，位于所述中心軸同一側的磁場裝置中，所述永磁體的極性與所述線圈第一端的極性相同。

8.一種離子植入機的使用方法，其特征在于，包括：

提供如權利要求1至權利要求7任一項所述的離子植入機；

離子源發射初始離子束，所述初始離子束邊緣的離子運動方向與中心軸具有第一夾角；

所述初始離子束通過處理腔室的第一開口進入處理腔室后，經磁場裝置的修正，從處理腔室的第二開口射出，形成離子束，所述離子束邊緣的離子運動方向與中心軸具有第二夾角，所述第二夾角小于第一夾角。

9.如權利要求8所述的離子植入機的使用方法，其特征在于，所述第一夾角的范圍為8度～12度，所述第二夾角的范圍為0度～1度。