[發(fā)明專利]一種基于核共振熒光的脈沖γ射線能譜測(cè)量系統(tǒng)及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810049783.0
• 申請(qǐng)日: 2018-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN108267775B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏坤;翁秀峰;黑東煒;盛亮;李斌康;譚新建;付竹明;孫彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西北核技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): G01T1/36
• 分類號(hào): G01T1/36
• 代理公司: 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 唐沛

1.一種基于核共振熒光的脈沖γ射線能譜測(cè)量系統(tǒng)，其特征在于：

包括鉛準(zhǔn)直器、HPGe探測(cè)器以及特定靶片；

所述鉛準(zhǔn)直器、特定靶片依次設(shè)置在待測(cè)脈沖γ射線的束流方向上；所述HPGe探測(cè)器位于待測(cè)脈沖γ射線的一側(cè)且HPGe探測(cè)器與束流方向之間的夾角為90°-120°；

所述特定靶片包括多種靶材料疊加而成，且每一種靶材料的能級(jí)均位于待測(cè)脈沖γ射線的能量范圍內(nèi)；

每一種靶材料的厚度均為0.2-0.5mm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于核共振熒光的脈沖γ射線能譜測(cè)量系統(tǒng)，其特征在于：所述HPGe探測(cè)器的前端貼合放置有鉛屏蔽體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于核共振熒光的脈沖γ射線能譜測(cè)量系統(tǒng)，其特征在于：所述HPGe探測(cè)器數(shù)量為2，且以待測(cè)脈沖γ射線的束流方向?yàn)檩S對(duì)稱分布；兩個(gè)HPGe譜儀與束流方向之間的夾角均為90°-120°，兩個(gè)HPGe探測(cè)器與特定靶片之間的距離均為10-50cm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于核共振熒光的脈沖γ射線能譜測(cè)量系統(tǒng)，其特征在于：靶材料的能級(jí)范圍是1-5MeV。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于核共振熒光的脈沖γ射線能譜測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)利用HPGe探測(cè)器探測(cè)待測(cè)脈沖γ射線核共振熒光過程中出射的光子數(shù)R；

2)根據(jù)公式(1)計(jì)算出對(duì)應(yīng)能點(diǎn)光子數(shù)密度D；

R＝D(1-e^-T/λ) (1)

D為待測(cè)脈沖γ射線在待測(cè)能點(diǎn)的光子數(shù)密度；T為特定靶片厚度；λ＝1/[σ·n]，其中，λ為核共振熒光作用長度，n為選取的靶材料中特定同位素的原子密度，σ為其核共振熒光截面數(shù)值；

3)將能點(diǎn)光子數(shù)密度D通過高斯擬合得到待測(cè)脈沖γ射線的能譜分布圖。