[發(fā)明專(zhuān)利]具有堆疊結(jié)構(gòu)的抗多節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)單元

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810049583.5
• 申請(qǐng)日: 2018-01-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108133727A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃正峰;李雪健;吳明;魯迎春;倪天明;梁華國(guó);易茂祥;歐陽(yáng)一鳴
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G11C11/417
• 分類(lèi)號(hào): G11C11/417
• 代理公司: 合肥金安專(zhuān)利事務(wù)所 34114
• 代理人: 吳娜

1.一種具有堆疊結(jié)構(gòu)的抗多節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)單元，其特征在于：該存儲(chǔ)單元包括第一PMOS晶體管(301)、第二PMOS晶體管(302)、第三PMOS晶體管(303)、第四PMOS晶體管(304)、存取晶體管、第一NMOS晶體管(305)、第二NMOS晶體管(306)、第三NMOS晶體管(307)、第四NMOS晶體管(308)、第五NMOS晶體管(309)、第六NMOS晶體管(310)、第一位線(BLN)、第二位線(BL)和字線(WL)；

所述存取晶體管包括第七NMOS晶體管(311)和第八NMOS晶體管(312)；所述第八NMOS晶體管(312)的漏極連接在第二位線(BL)上，第八NMOS晶體管(312)的源極同時(shí)連接第三NMOS晶體管(307)的漏極、第六NMOS晶體管(310)的柵極、第一NMOS晶體管(305)的柵極、第一PMOS晶體管(301)的柵極和第四NMOS晶體管(308)漏極，第八NMOS晶體管(312)的源極、第三NMOS晶體管(307)的漏極、第六NMOS晶體管(310)的柵極、第一NMOS晶體管(305)的柵極、第一PMOS晶體管(301)的柵極和第四NMOS晶體管(308)的漏極的之間的電路節(jié)點(diǎn)為Q；

所述第三NMOS晶體管(307)的柵極同時(shí)連接第三PMOS晶體管(303)的柵極、第一NMOS晶體管(305)的漏極、第五NMOS晶體管(309)的柵極、第七NMOS晶體管(311)的源極和第二NMOS晶體管(306)的漏極，第三NMOS晶體管(307)的柵極、第三PMOS晶體管(303)的柵極、第一NMOS晶體管(305)的漏極和第五NMOS晶體管(309)的柵極、第七NMOS晶體管(311)的源極和第二NMOS晶體管(306)的漏極之間的電路節(jié)點(diǎn)為QN；

所述第七NMOS晶體管(311)的柵極和第八NMOS晶體管(312)的柵極均連接在字線(WL)上，第七NMOS晶體管(311)的漏極連接在第一位線(BLN)上；

所述第三PMOS晶體管(303)的漏極連接第四NMOS晶體管(308)的源極；第一PMOS晶體管(301)的漏極連接第二NMOS晶體管(306)的源極；

所述第二NMOS晶體管(306)的柵極同時(shí)連接第二PMOS晶體管(302)的柵極、第四PMOS晶體管(304)的漏極和第六NMOS晶體管(310)的漏極，第二NMOS晶體管(306)的柵極、第二PMOS晶體管(302)的柵極、第四PMOS晶體管(304)的漏極和第六NMOS晶體管(310)的漏極之間的電路節(jié)點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)S0；

所述第四NMOS晶體管(308)的柵極同時(shí)連接第四PMOS晶體管(304)的柵極、第二PMOS晶體管(302)的漏極和第五NMOS晶體管(309)的漏極，第四NMOS晶體管(308)的柵極、第四PMOS晶體管(304)的柵極、第二PMOS晶體管(302)的漏極和第五NMOS晶體管(309)的漏極之間的電路節(jié)點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)S1；

供電電壓VDD同時(shí)連接第三PMOS晶體管(303)的源極、第四PMOS晶體管(304)的源極、第二PMOS晶體管(302)的源極和第一PMOS晶體管(301)的源極；電源地同時(shí)連接第三NMOS晶體管(307)的源極、第六NMOS晶體管(310)的源極、第五NMOS晶體管(309)的源極和第一NMOS晶體管(305)的源極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有堆疊結(jié)構(gòu)的抗多節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)單元，其特征在于：當(dāng)節(jié)點(diǎn)Q的電平為“1”、節(jié)點(diǎn)QN的電平為“0”、節(jié)點(diǎn)S0的電平為“0”、節(jié)點(diǎn)S1的電平為“1”時(shí)，所述存儲(chǔ)單元處于存操作狀態(tài)的具體過(guò)程為：

當(dāng)字線(WL)為低電平“0”時(shí)，第二PMOS晶體管(302)、第三PMOS晶體管(303)、第一NMOS晶體管(305)、第四NMOS晶體管(308)、第六NMOS晶體管(310)處于開(kāi)態(tài)，第一PMOS晶體管(301)、第四PMOS晶體管(304)、第二NMOS晶體管(306)、第三NMOS晶體管(307)、第五NMOS晶體管(309)、第七NMOS晶體管(311)和第八NMOS晶體管(312)均處于關(guān)態(tài)，完成所述存儲(chǔ)單元的存操作。