[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810048650.1
• 申請(qǐng)日: 2018-01-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110060955B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許閔翔;柯元富;張志圣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，包含：

形成一金屬間介電層于一基底上；

形成一開(kāi)口于該金屬間介電層內(nèi)；

進(jìn)行一處理制作工藝將部分該金屬間介電層轉(zhuǎn)換為一受損層于該開(kāi)口旁，其中該處理制作工藝包含進(jìn)行一濕式清洗制作工藝以蝕刻部分該金屬間介電層以形成該受損層；

形成一保護(hù)層于該受損層側(cè)壁；

形成一金屬層于該開(kāi)口內(nèi)；

去除該受損層以形成一氣孔于該保護(hù)層旁；以及

在形成該氣孔之后進(jìn)行一紫外光固化制作工藝，以彌補(bǔ)形成該氣孔時(shí)造成可靠度不足的問(wèn)題。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，另包含：

形成一介電層于該基底上，其中該介電層內(nèi)包含一圖案化導(dǎo)電層；

形成一停止層于該介電層上；

形成一緩沖層于該停止層上；

形成該金屬間介電層于該緩沖層上；以及

形成該開(kāi)口于該緩沖層、該停止層以及該金屬間介電層內(nèi)并暴露出該圖案化導(dǎo)電層。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該圖案化導(dǎo)電層上表面切齊該介電層上表面。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，另包含：

形成該保護(hù)層于該受損層、該緩沖層以及該停止層側(cè)壁；

形成該金屬層并填滿該開(kāi)口；以及

進(jìn)行一平坦化制作工藝去除部分該金屬層以形成一金屬內(nèi)連線。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，另包含在該紫外光固化制作工藝之后形成一高壓縮蝕刻停止層于該金屬間介電層以及該金屬層上。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該氣孔由該緩沖層、該保護(hù)層、該高壓縮蝕刻停止層以及該金屬間介電層所環(huán)繞。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，另包含利用過(guò)氧化氫來(lái)進(jìn)行該濕式清洗制作工藝。

8.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

金屬間介電層，設(shè)于一基底上；

金屬內(nèi)連線，設(shè)于該金屬間介電層內(nèi)；

氣孔，設(shè)于該金屬內(nèi)連線以及該金屬間介電層之間，其中該金屬內(nèi)連線的下表面低于該氣孔的下表面；以及

保護(hù)層，設(shè)于該金屬內(nèi)連線的側(cè)壁，該保護(hù)層的下表面與該金屬內(nèi)連線的下表面切齊，且該保護(hù)層的上表面與該氣孔的下表面切齊。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，另包含停止層，設(shè)于該金屬間介電層以及該基底之間。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，另包含緩沖層，設(shè)于該停止層以及該金屬間介電層之間。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件，另包含高壓縮蝕刻停止層，設(shè)于該金屬間介電層以及該金屬內(nèi)連線上。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其中該氣孔由該緩沖層、該保護(hù)層、該高壓縮蝕刻停止層以及該金屬間介電層所環(huán)繞。

13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，另包含介電層，設(shè)于該金屬間介電層以及該基底之間，其中該介電層內(nèi)包含圖案化導(dǎo)電層。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中該圖案化導(dǎo)電層上表面切齊該介電層上表面。

15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中該金屬內(nèi)連線直接接觸該圖案化導(dǎo)電層。

16.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該保護(hù)層包含氮化鋁。