[發(fā)明專利]攝像器件和電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810048431.3 | 申請日： | 2011-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN108111786B | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 小林正治;工藤義治;佐野拓也 | 申請（專利權(quán)）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H04N5/369 | 分類號： | H04N5/369;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人： | 陳睆;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 布線 多層布線層 半導(dǎo)體層 光電轉(zhuǎn)換單元 布線層 電路單元 攝像器件 電子裝置 延伸 | ||
1.一種攝像器件，其包括：
多個光電轉(zhuǎn)換單元，所述多個光電轉(zhuǎn)換單元形成在第一半導(dǎo)體層中；
電路單元，所述電路單元形成在第二半導(dǎo)體層中，其中，所述電路單元位于所述第一半導(dǎo)體層中的所述多個光電轉(zhuǎn)換單元的至少一個光電轉(zhuǎn)換單元的下方；
第一多層布線層，所述第一多層布線層形成在所述第一半導(dǎo)體層的第一側(cè)，所述第一多層布線層包括具有第一布線的第一布線層和具有第二布線的第二布線層，所述第一布線和所述第二布線被第一層間絕緣膜間隔著布置；以及
第二多層布線層，所述第二多層布線層形成在所述第二半導(dǎo)體層的第一側(cè)，所述第二多層布線層包括具有第三布線的第三布線層和具有第四布線的第四布線層，所述第三布線和所述第四布線被第二層間絕緣膜間隔著布置，
其中，
所述第一布線位于所述第二布線的上方，所述第一多層布線層布置在所述多個光電轉(zhuǎn)換單元與所述電路單元之間，并且在第一方向上延伸的所述第一布線與在所述第一方向上延伸的所述第二布線重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件，其中，所述第一布線和所述第二布線中的每一者連接到至少一個像素或偽布線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件，其中，所述第一布線和所述第二布線中的每一者包括對光進(jìn)行反射的反射部件或?qū)膺M(jìn)行吸收的吸收部件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件，其中，所述第一布線和所述第二布線中的每一者包括鎢(W)、銅(Cu)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)和/或碳(C)中的至少一者。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件，其中，所述第一布線和所述第二布線中的每一者對光進(jìn)行反射和散射。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件，其中，所述第一布線與所述第二布線重疊的第一距離大于第二距離，其中，所述第二距離是所述第一布線與所述第二布線之間的距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括多個第一晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的攝像器件，其中，所述電路單元包括多個第二晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝像器件，其中，所述第一多層布線層和所述第二多層布線層布置在所述多個第一晶體管與所述多個第二晶體管之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件，其中，所述攝像器件是背側(cè)照射型攝像器件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件，其中，所述第一布線的至少一部分和所述第二布線的至少一部分布置在所述第二半導(dǎo)體層中的能夠發(fā)光的一個或多個有源元件的上方。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件，其中，在第二方向上延伸的所述第三布線與在所述第二方向上的所述第四布線重疊。
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