[發明專利]一種LDO電路在審
| 申請號： | 201810048035.0 | 申請日： | 2018-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN108037788A | 公開（公告）日： | 2018-05-15 |
| 發明（設計）人： | 吳斯敏;李俊杰 | 申請（專利權）人： | 上海艾為電子技術股份有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 200233 上海市徐匯*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ldo 電路 | ||
1.一種LDO電路，其特征在于，包括：運算放大器、第一電阻、第二電阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中：
所述運算放大器的同相輸入端接收基準電壓；
所述運算放大器的反相輸入端經所述第二電阻接地，同時經所述第一電阻連接到所述第二PMOS管的漏極；
所述運算放大器的輸出端同時連接到所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的柵極；
所述第一NMOS管的漏級和所述第二NMOS管的漏級相連；
所述第二NMOS管的源極連接所述第三NMOS管的漏極；
所述第一NMOS管的源極和所述第三NMOS管的源極接地；
所述第三NMOS管的柵極在所述LDO電路上電一段時間后接收驅動信號；
所述第一NMOS管的漏級同時連接到所述第一PMOS管的漏級、所述第一PMOS管的柵極以及所述第二PMOS管的柵極；
所述第一PMOS管的源極和所述第二PMOS管的源極連接到電源；
所述第二PMOS管的漏極為所述LDO電路的輸出端；
所述第一NMOS管的寬長比遠小于所述第二NMOS管的寬長比。
2.一種LDO電路，其特征在于，包括：運算放大器、第一電阻、第二電阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中：
所述運算放大器的同相輸入端接收基準電壓；
所述運算放大器的反相輸入端經所述第二電阻接地，同時經所述第一電阻連接到所述第二PMOS管的漏極；
所述運算放大器的輸出端同時連接到所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的柵極；
所述第一NMOS管的漏級和所述第三NMOS管的漏級相連；
所述第二NMOS管的漏極連接所述第三NMOS管的源極；
所述第一NMOS管的源極和所述第二NMOS管的源極接地；
所述第三NMOS管的柵極在所述LDO電路上電一段時間后接收驅動信號；
所述第一NMOS管的漏級同時連接到所述第一PMOS管的漏級、所述第一PMOS管的柵極以及所述第二PMOS管的柵極；
所述第一PMOS管的源極和所述第二PMOS管的源極連接到電源；
所述第二PMOS管的漏極為所述LDO電路的輸出端；
所述第一NMOS管的寬長比遠小于所述第二NMOS管的寬長比。
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