[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201810047661.8
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN110060979B
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 陳倫倫;廖修漢;蔡耀庭
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊;王濤

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一基板；

一介電層，位于所述基板上；

一測試墊，位于所述介電層上，其中所述測試墊于其俯視圖中包括：

至少三個第一導電帶，所述第一導電帶彼此間隔開且排列在不同行上，其中所述第一導電帶通過多個第一導電條電性及物理連接，所述第一導電條在不同行間以交錯的方式排列，其中所述第一導電帶的每一者在整個長度方向上具有恒定的寬度，且所述第一導電帶的長度大于所述第一導電帶的寬度；以及

多個引線孔，位于所述介電層中，其中所述引線孔設置在所述第一導電帶下。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述測試墊設置在所述基板的一切割道上。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電帶的寬度大于所述第一導電條的寬度。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電帶朝一第一方向延伸，所述第一導電條朝一第二方向延伸，所述第一方向垂直所述第二方向。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電帶及所述第一導電條間具有一介電材料。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電帶間的間距對一探針頭的寬度的比值為1/2至1/3。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電帶的寬度介于10μm至15μm間，且所述第一導電條的寬度介于0.5μm至1μm間。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述測試墊由3條至5條第一導電帶及4條至6條第一導電條所組成。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括一鈍化層，設置在所述測試墊上，且所述鈍化層的材料包括氧化物、氮化物或其組合。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述引線孔未設置在所述第一導電條下。

11.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括一第一導電層，位于所述引線孔下，其中所述第一導電層于其俯視圖中包括：

至少三個第二導電帶，所述第二導電帶彼此間隔開且排列在不同行上，其中所述第二導電帶通過多個第二導電條電性及物理連接，所述第二導電條在不同行間以交錯的方式排列。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電帶在所述基板上的一投影重疊所述第二導電帶在所述基板上的一投影，且所述第一導電條在所述基板上的一投影不重疊所述第二導電條在所述基板上的一投影。

13.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述測試墊的厚度大于所述第一導電層的厚度。

14.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，還包括一第二導電層，位于所述第一導電層下，其中所述第二導電層的四側邊切齊所述第一導電層的四側邊。