[發(fā)明專利]閃存及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810047653.3
• 申請(qǐng)日: 2018-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN110061005B
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 恩凱特·庫(kù)馬;馬洛宜·庫(kù)馬;李家豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11521
• 分類號(hào): H01L27/11521;H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊;郭曉宇

1.一種閃存的制造方法，其特征在于，包括：

在一半導(dǎo)體基底上形成一第一導(dǎo)電層；

在該第一導(dǎo)電層上形成一圖案化遮罩層，其中該圖案化遮罩層的一開口暴露出該第一導(dǎo)電層；

在該圖案化遮罩層上形成一第二導(dǎo)電層，其中該第二導(dǎo)電層延伸進(jìn)入該開口；

對(duì)該第二導(dǎo)電層實(shí)施一第一刻蝕工藝，以在該開口的一側(cè)壁上形成一間隙物；

實(shí)施一氧化工藝以在該開口內(nèi)形成一氧化物結(jié)構(gòu)，其中在實(shí)施該氧化工藝的期間，該間隙物的一部分及該第一導(dǎo)電層的一部分轉(zhuǎn)換為該氧化物結(jié)構(gòu)；

以該氧化物結(jié)構(gòu)作為遮罩，實(shí)施一第二刻蝕工藝以形成一浮柵；以及

在該半導(dǎo)體基底內(nèi)形成一源極區(qū)和一漏極區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，在實(shí)施該第一刻蝕工藝之前，該第二導(dǎo)電層具有一凹陷，位于該圖案化遮罩層的該開口的正上方。

3.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，在實(shí)施該第一刻蝕工藝之后，暴露出該圖案化遮罩層和該第一導(dǎo)電層的頂面。

4.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，在實(shí)施該氧化工藝之前，該間隙物具有朝向該開口的中心的一凸面。

5.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，在實(shí)施該氧化工藝的期間，該間隙物的一部分和該第一導(dǎo)電層在該開口下的一部分轉(zhuǎn)換為該氧化物結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，該氧化物結(jié)構(gòu)的底面低于該圖案化遮罩層的底面。

7.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，在實(shí)施該氧化工藝之后，該間隙物的一剩余部分具有朝向該氧化物結(jié)構(gòu)的一凹面。

8.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，該氧化物結(jié)構(gòu)自該圖案化遮罩層的頂面突出。

9.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，在實(shí)施該第二刻蝕工藝的期間，移除該圖案化遮罩層和該第一導(dǎo)電層由該圖案化遮罩層所覆蓋的部分。

10.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，該間隙物和該第一導(dǎo)電層由相同材料制成，且在實(shí)施該第二刻蝕工藝之后，該浮柵由該間隙物的一剩余部分和該第一導(dǎo)電層的一剩余部分組成。

11.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，該源極區(qū)和該漏極區(qū)通過(guò)將離子注入于半導(dǎo)體基底內(nèi)以形成，且該浮柵位于該源極區(qū)與該漏極區(qū)之間。

12.如權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一介電層以覆蓋該浮柵的一側(cè)壁；以及

在該半導(dǎo)體基底上形成一控制柵極，其中該控制柵極延伸至該氧化物結(jié)構(gòu)上。

13.如權(quán)利要求12所述的閃存的制造方法，其特征在于，該控制柵極覆蓋該氧化物結(jié)構(gòu)的一突出部分，且該突出部分具有一圓弧的頂面，且其中該柵極電極通過(guò)該介電層與該浮柵隔開。

14.一種閃存，其特征在于，包括：

一浮柵，設(shè)置于一半導(dǎo)體基底上，其中該浮柵的一第一邊緣為一第一尖端，且該浮柵的一第二邊緣為一第二尖端；

一氧化物結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該浮柵上，其中該氧化物結(jié)構(gòu)的一第一突出部分位于該第一尖端的正上方，且該氧化物結(jié)構(gòu)的一第二突出部分位于該第二尖端的正上方；

一介電結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該浮柵下與該浮柵的部分側(cè)壁上，其中該浮柵的底部埋設(shè)于該介電結(jié)構(gòu)中；以及

一源極區(qū)和一漏極區(qū)，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底內(nèi)，且該浮柵位于該源極區(qū)與該漏極區(qū)之間。