[發明專利]多晶硅引晶涂層的制備方法及鑄錠坩堝

有效

• 申請號: 201810046304.X
• 申請日: 2018-01-17
• 公開（公告）號: CN108342774B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 周建軍;龍昭欽;毛亮亮;冷金標;丁文輝;周成;雷鳴;周慧敏;徐志群
• 申請（專利權）人: 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 何世磊

1.一種多晶硅引晶涂層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在坩堝的內側壁涂設一層SiO₂后，將所述坩堝放入無塵車間靜置；

將質量比為1:1的氮化硅和純水混合后充分攪拌10-20min以形成第一混合物，并將所述第一混合物均勻填滿所述坩堝的底部，以形成第一涂層，然后靜置20-40min；

將質量比為3:6:1的氮化硅、純水以及硅溶膠混合后充分攪拌15-25min以形成第二混合物，并將所述第二混合物均勻設于所述第一涂層上端，以形成第二涂層，并立即將與第二混合物中氮化硅的質量比為5：1的石英砂均勻設于所述第二涂層的上端，以形成第一石英砂層；

將設有第一石英砂層的所述坩堝自然靜置15-20min后，再將與第二混合物中氮化硅的質量比為5：1的石英砂均勻設于所述第一石英砂層上端，以形成第二石英砂層，并將所述坩堝進行微波干燥，溫度設定為60℃-70℃，干燥的時長為15-25min，其中，第二石英砂層中的石英砂嵌入第二涂層的深度小于第一次噴射的第一石英砂層中石英砂的深度，以使第一石英砂層和第二石英砂層形成交錯的引晶層，且第一石英砂層和第二石英砂層為異質引晶；

其中，所述石英砂的粒徑大小為70目-120目；

所述第一石英砂層和的第二石英砂層均通過靜電噴槍噴射，以設置在相應的位置。

2.根據權利要求1所述的多晶硅引晶涂層的制備方法，其特征在于，所述形成第一涂層的方法包括：將所述第一混合物按照Z字形倒在所述坩堝的底部，并用刷子刷涂均勻。

3.根據權利要求1所述的多晶硅引晶涂層的制備方法，其特征在于，所述將所述第一混合物均勻填滿所述坩堝的底部的步驟之前，所述方法還包括：利用毛刷刷涂將100g-400g純水均勻涂抹于所述坩堝的底部，并靜置1min。

4.根據權利要求1所述的多晶硅引晶涂層的制備方法，其特征在于，所述SiO₂的純度大于99.99％。