[發(fā)明專利]含有多層編程膜的三維縱向多次編程存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810045348.0
• 申請(qǐng)日: 2018-01-17
• 公開（公告）號(hào): CN110047869A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張國飆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門海存艾匹科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/24
• 分類號(hào): H01L27/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種三維縱向多次編程存儲(chǔ)器（3D-MTP_V），其特征還在于含有：

一含有一襯底電路(0K)的半導(dǎo)體襯底(0)；

多層處于該襯底電路(0K)上并垂直堆疊的水平地址線(8a-8h)；

多個(gè)穿透所述多層水平地址線(8a-8h)的存儲(chǔ)井(2a)；

一層覆蓋該多個(gè)存儲(chǔ)井(2a)邊墻并含有第一編程次膜(6)和第二編程次膜(6`)的編程膜(6a)，該第一和第二編程次膜(6, 6`)含有不同編程材料；

多條形成在該多個(gè)存儲(chǔ)井(2a)中的豎直地址線(4a)；

多個(gè)形成在該水平地址線(8a-8h) 與該豎直地址線(4a)交叉處的MTP存儲(chǔ)元(1aa-1ha)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述第一編程次膜(6)含有金屬氧化物，所述第二編程次膜(6`)含有金屬氮化物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述水平地址線(8a)和所述編程膜(6a)之間的界面(7)與所述豎直地址線(4a)和所述編程膜(6a)之間的界面(5)不同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述編程膜(6a)含有相變（PCM）材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述編程膜(6a)含有阻變（RRAM）材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述水平地址線(8a)、所述編程膜(6a)以及所述豎直地址線(4a)構(gòu)成一二極管(14)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：在一個(gè)讀周期(T)中讀出與被選中水平地址線(8a)電耦合的所有MTP存儲(chǔ)元(1aa-1ah)存儲(chǔ)的信息。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：在所述讀周期(T)中，被選中水平地址線(8a)上的電壓為讀電壓（V_R）；當(dāng)位線電壓大于翻轉(zhuǎn)電壓（V_t）時(shí)，輸出翻轉(zhuǎn)；所述二極管(14)的電氣特性滿足條件I(V_R)>>n*I(-V_t)，其中，n為所述豎直地址線(4a)上所有MTP存儲(chǔ)元的數(shù)目。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述多個(gè)MTP存儲(chǔ)元(1aa-1ha)構(gòu)成一豎直存儲(chǔ)串(1A)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述豎直存儲(chǔ)串(1A)與一縱向晶體管(7a)電耦合。