[發明專利]一種終端調制深度自適應的方法有效
| 申請號: | 201810045225.7 | 申請日: | 2018-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN108446576B | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 李濱濱 | 申請(專利權)人: | 艾體威爾電子技術(北京)有限公司 |
| 主分類號: | G06K7/10 | 分類號: | G06K7/10 |
| 代理公司: | 北京市盛峰律師事務所 11337 | 代理人: | 于國富 |
| 地址: | 100142 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 終端 調制 深度 自適應 方法 | ||
1.一種終端調制深度自適應的方法,其特征在于,所述方法包括:
建表過程:在終端生產過程中,使用標準非接觸卡對終端進行校正建立調制深度表,并存儲于終端中;
建表過程具體為:
S1,初始化操作
初始化終端上主控芯片的變量值,變量值包括Index、數組TabX[]、數組TabY[]和Lenth;
TabX[Index]表示負載在Index高度時測量到場強的寄存器值;TabY[Index]表示在場強寄存器為TabX[Index]時,達到目標調制深度時,需要配置給非接觸讀卡芯片的調制寄存器值;Index表示調制深度表的位置,與負載高度值對應,Index的初始化值為0;Lenth用于記錄數組長度,所述數組長度即為調制深度表的長度值;
初始化非接觸讀卡芯片:非接觸讀卡芯片輸出的場強值為默認的工作值;
S2,主控芯片配置非接觸讀卡芯片的調制寄存器,開啟非接觸讀卡芯片電磁場;
S3,操作者將標準非接觸卡置于終端感應區,且標準非接觸卡與終端感應區的間距為0cm;
S4,主控芯片判斷從操作者處接收到的指令是確認指令還是取消指令,如果是確認指令,則進入S5;如果是取消指令,則清除主控芯片在當前時刻前存儲的數組TabX[]的值和數組TabY[]的值,繼續等待操作者發出的指令;如果主控芯片接收到的指令既不是確認指令也不是取消指令,則繼續判斷;
S5,主控芯片發送測量場強指令到非接觸讀卡芯片;
非接觸讀卡芯片接收到測量場強指令后測量當前場強值并存儲至調制寄存器;
S6,主控芯片發送讀取調制寄存器指令到非接觸讀卡芯片,得到非接觸芯片的調制寄存器中存儲的當前場強值,并將得到的當前場強值保存到數組TabX[]中的Index位置;
S7,主控芯片將目標調制深度寫入非接觸讀卡芯片的調制寄存器中;
S8,主控芯片發送自動深度調節指令到非接觸讀卡芯片;
非接觸讀卡芯片接收到自動深度調節指令后,在所述當前場強值的條件下調取得到所述當前場強值對應的調制寄存器值,將得到的調制寄存器值存儲于自身調制寄存器;
S9,主控芯片發送讀取調制寄存器指令到非接觸讀卡芯片,得到調制寄存器中存儲的值,主控芯片將讀取到的值保存到數組TabY[]中的Index位置;
S10,主控芯片更新Index,將Index值加1;
S11,主控芯片判斷Index值是否小于當前Lenth值;如果是,則執行S12;如果否,則執行S13;
S12,操作者將標準非接觸卡與終端感應區的間距增加1cm,然后返回執行S4;
S13,主控芯片將得到的數組TabX[]和數組TabY[]均寫入到FLASH存儲芯片中存儲,完成調制深度表的建立;
自適應過程:在任意一張非接觸卡K與所述終端進行數據交互前,所述終端上主控芯片根據終端存儲的調制深度表得到調制寄存器控制值,并將調制寄存器控制值寫入所述終端的非接觸讀卡芯片的調制寄存器中,所述終端完成自適應調節,所述終端開始與非接觸卡進行數據交互。
2.根據權利要求1所述終端調制深度自適應的方法,其特征在于,終端自適應調節過程,具體為:
A1,終端的主控芯片初始化變量值Index為0,ucAntennaDriverStrength為0;
Index用于記錄存儲數組位置;ucAntennaDriverStrength表示自適應調節后需要寫入調制寄存器的值;
A2,主控芯片獲取存儲在FLASH存儲芯片中的調制深度表;所述調制深度表包括數組TabX[]和數組TabY[]以及調制深度表的長度Lenth;
TabX[Index]表示負載在Index高度時測量到場強的寄存器值;TabY[Index]表示在場強寄存器為TabX[Index]時,達到目標調制深度時,需要配置給非接觸讀卡芯片的調制寄存器值;Index表示調制深度表的位置,Index與負載高度值對應;Lenth為調制深度表的長度,為最大的Index值加1;
A3,主控芯片發送測量當前場強的指令到非接觸讀卡芯片,非接觸讀卡芯片測量得到當前場強值;
A4,主控芯片發送讀取當前場強值的指令到非接觸讀卡芯片,得到當前場強值,并將得到當前場強值記為ucAmplitudePhase;
ucAmplitudePhase表示載波幅度Pmax;
A5,主控芯片判斷ucAmplitudePhase是否小于TabX[Index],即:判斷ucAmplitudePhase是否小于數組TabX[]中Index位置的數值,若是,則直接執行A8;若否,則執行A6;
A6,主控芯片將Index加1;
A7,主控芯片判斷此時的Index是否小于調制深度表的Lenth若是,則執行A5;若否,則當前Index不在調制深度表內,執行A8;
Lenth表示調制深度表的長度值;
A8,主控芯片判斷當前Index是否等于0,若是,則執行A9;若否,則執行A10;
A9,主控芯片設置ucAntennaDriverStrength為數組TabY[]的0位置,記為TabY[0],進入A15;
A10,主控芯片判斷Index是否等于Lenth,若是,則執行A11;若否,則執行A13;
A11,主控芯片將Index減1,進入A12;
A12,主控芯片設置ucAntennaDriverStrength為數組TabY[]的Index位置,記為TabY[Index],然后執行A15;
A13,主控芯片獲取x1、y1、x2、y2、xi,x1=TabX[Index-1]、y1=TabY[Index-1]、x2=TabX[Index]、y2=TabY[Index]、xi=ucAmplitudePhase;將變量x1、y1、x2、y2記為兩個點,分別表示為(x1,y1)和(x2,y2),然后進入A14;
A14,終端的主控芯片將變量代入公式(1)進行計算,得到ucAntennaDriverStrength值:
ucAntennaDriverStrength=(xi-x1)×(y2-y1)/(x2-x1)+y1(1)
A15,主控芯片將獲得的調制場強值ucAntennaDriverStrength寫入終端非接觸讀卡芯片的調制寄存器,完成自適應調節過程。
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