[發明專利]線圈組件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810044710.2
• 申請日: 2018-01-17
• 公開（公告）號: CN109148106B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 奉康昱;文炳喆;金范錫;張振赫;柳正杰
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01F27/28
• 分類號: H01F27/28;H01F27/29;H01F27/30;H01F27/32;H01F27/255;H01F17/00;H01F17/04;H01F41/00;H01F41/04;H01F41/12;H01F41/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 何巨;金光軍

1.一種用于制造線圈組件的方法，所述方法包括：

提供支撐構件；

在所述支撐構件中形成通路孔；

當在所述支撐構件的至少一個表面上存在導電材料層時，去除所述導電材料層；

在所述支撐構件的所述至少一個表面以及所述通路孔的側表面上形成第一導電層；

在所述第一導電層的暴露的表面上形成絕緣圖案，所述絕緣圖案具有在所述支撐構件的厚度方向上的多個開口；

通過利用導電材料填充所述多個開口以及設置有所述第一導電層的所述通路孔來形成第二導電層；

交替地且重復地執行形成所述絕緣圖案的步驟和形成所述第二導電層的步驟；

去除所述絕緣圖案；

使用磁性材料形成磁性主體，所述磁性材料包封所述第二導電層和所述支撐構件；以及

在所述磁性主體的外表面上形成外電極，所述外電極連接到所述第二導電層，

其中，所述第二導電層包括多個層，所述多個層中相鄰的兩層中的下層的寬度小于所述多個層中相鄰的兩層中的上層的寬度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述絕緣圖案的步驟包括形成開口，所述開口穿過所述通路孔。

3.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：在去除所述絕緣圖案之后，去除所述第一導電層的設置在所述絕緣圖案的下面的部分。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一導電層的步驟包括濺射工藝。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述通路孔的步驟包括形成具有帶有錐形形狀的截面的通路孔，所述通路孔的寬度在所述支撐構件的所述厚度方向上朝向所述支撐構件的中心變窄。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一導電層和所述第二導電層包括導電材料，所述導電材料具有不同的組成和含量。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一導電層的設置在所述支撐構件的所述至少一個表面上的部分的平均厚度與所述第一導電層的設置在所述通路孔的所述側表面上的另一部分的平均厚度之差為500nm或更小，并且所述第一導電層的總平均厚度為1μm或更小。