[發(fā)明專利]一種基于LSTM網(wǎng)絡(luò)的UUV實(shí)時(shí)避碰規(guī)劃方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810043820.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108319293B | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王宏健;張雪蓮;呂洪莉;郭峰;陳濤;林常見 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工程大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G05D1/10 | 分類號(hào): | G05D1/10;G01S15/93 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 lstm 網(wǎng)絡(luò) uuv 實(shí)時(shí) 規(guī)劃 方法 | ||
1.一種基于LSTM網(wǎng)絡(luò)的UUV實(shí)時(shí)避碰規(guī)劃方法,其特征在于,包含如下步驟:
(1)構(gòu)建全局坐標(biāo)系和局部坐標(biāo)系,建立聲納仿真模型;
(2)設(shè)計(jì)用于實(shí)時(shí)避碰規(guī)劃的LSTM網(wǎng)絡(luò);
(3)構(gòu)建數(shù)據(jù)集;
(4)利用訓(xùn)練集中數(shù)據(jù)訓(xùn)練LSTM網(wǎng)絡(luò),得到基于LSTM網(wǎng)絡(luò)的實(shí)時(shí)避碰規(guī)劃器;
(5)將聲納探測(cè)信息及目標(biāo)點(diǎn)信息輸入至基于LSTM網(wǎng)絡(luò)的避碰規(guī)劃器,獲得UUV下一時(shí)刻的轉(zhuǎn)艏及速度的調(diào)整指令;
所述的步驟(1)具體為:
全局坐標(biāo)系采用北東坐標(biāo)系,地圖左下角為原點(diǎn),正北方向?yàn)閄軸,正東方向?yàn)閅軸;
局部坐標(biāo)系原點(diǎn)選在UUV重心處,X軸取在UUV縱向剖面內(nèi),指向UUV艏端,Y軸與縱剖面垂直,指向右舷;
二維多波束聲納仿真模型水平開角為120°,最大探測(cè)半徑為120m,共80個(gè)波束,波束角為1.5°,每個(gè)波束上探測(cè)噪聲為±1%;
所述的步驟(2)具體為:
所設(shè)計(jì)的LSTM網(wǎng)絡(luò)為端對(duì)端模型,該網(wǎng)絡(luò)模型包含四層,分別為輸入層、隱藏層、中間層以及輸出層;
輸入層由81個(gè)單元組成,其中前80個(gè)單元分別對(duì)應(yīng)仿真聲納的80個(gè)波束中包含的距離信息,第81個(gè)單元對(duì)應(yīng)UUV當(dāng)前位置與目標(biāo)點(diǎn)之間的夾角;
隱藏層由45個(gè)LSTM記憶模塊組成,每個(gè)LSTM模塊都包含輸入單元、輸出單元、輸入門、輸出門、遺忘門;
序列長(zhǎng)度為10,上一時(shí)刻的隱藏層的輸出反饋到下一時(shí)刻的模塊中;
中間層由23個(gè)單元組成;
輸出層由2個(gè)單元組成,分別對(duì)應(yīng)所規(guī)劃的下一時(shí)刻UUV的轉(zhuǎn)艏和速度;
輸入層與隱藏層、隱藏層與中間層、中間層與輸出層間的連接方式為全連接;
所述的LSTM記憶模塊輸出計(jì)算方式為:
it=σ(Wxixt+Whiht-1+bi)
ft=σ(Wxfxt+Whfht-1+bf)
ct=ft·ct-1+it·tanh(Wxcxt+Whcht-1+bc)
ot=σ(Wxoxt+Whoht-1+bo)
ht=ot·tanh(ct)
其中it、ft、ct、ot和ht分別為t時(shí)刻輸入門、遺忘門、記憶單元、輸出門和記憶模塊的輸出;xt為t時(shí)刻記憶模塊的輸入向量;ht-1為t-1時(shí)刻記憶模塊的輸出向量;Wxi、Wxf、Wxc和Wxo分別為模塊輸入與輸入門、遺忘門、記憶單元和輸出門間的權(quán)重矩陣;Whi、Whf、Whc和Who分別為t-1時(shí)刻記憶模塊的輸出與輸入門、遺忘門、記憶單元和輸出門間的權(quán)重矩陣;bi、bf、bc和bo分別為輸入門、遺忘門、記憶單元和輸出門的偏置;σ(·)表示邏輯sigmoid函數(shù),其為門單元的激活函數(shù);·表示對(duì)應(yīng)元素相乘。
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