[發明專利]一種改善阱注入前光刻膠殘留的方法

在審

• 申請號: 201810043463.4
• 申請日: 2018-01-17
• 公開（公告）號: CN108231546A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 侯婧文;李春龍;霍宗亮;葉甜春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙青朵

1.一種改善阱注入前光刻膠殘留的方法，包括以下步驟：

a)在硅襯底上沉積氮化物，得到沉積有氮化層的硅襯底；

b)將步驟a)得到的沉積有氮化層的硅襯底進行離子氧化處理，得到處理后的硅襯底；

c)將步驟b)得到的處理后的硅襯底進行光刻工藝，得到阱注入前的硅芯片。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟a)中所述沉積氮化物的方式為低壓化學氣相沉積。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述低壓化學氣相沉積的反應源氣體為二氯氫硅和氨氣；所述二氯氫硅和氨氣的體積比為1：(3～6)。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述低壓化學氣相沉積的沉積溫度為710℃～780℃，沉積時間為18s～25s，反應壓力為250mtorr～300mtorr。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟b)中所述離子氧化處理具體包括以下步驟：

b1)將步驟a)得到的沉積有氮化層的硅襯底進行預氧化，得到預氧化后的硅襯底；

b2)將步驟b1)得到的預氧化后的硅襯底進行離子氧化，得到處理后的硅襯底。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟b1)中所述預氧化的過程具體為：

在RF 100W～300W，壓力300mtorr～400mtorr下通入O₂ 1s～4s進行預氧化。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟b2)中所述離子氧化的過程具體為：

在RF 2500W～3000W，壓力300mtorr～400mtorr下通入O₂ 40s～45s進行離子氧化。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟b)中所述離子氧化處理在真空或惰性氣氛下進行。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述惰性氣氛為氮氣、氦氣、氬氣、氪氣、氙氣和氡氣中的一種或多種。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c)中所述光刻工藝所用的光刻膠為有機溶劑；所述有機溶劑選自重氮醌類化合物中的一種或多種。