[發明專利]一種掩膜版及其制備方法

在審

• 申請號: 201810043444.1
• 申請日: 2018-01-17
• 公開（公告）號: CN108563098A
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 白金超;郭會斌;劉明懸;韓笑;丁向前;宋勇志
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發明公開了一種掩膜版及其制備方法，該掩膜版包括：基板，以及位于所述基板上的至少一個第一曝光結構和至少一個第二曝光結構；其中，所述第一曝光結構包括第一遮光膜層和濾光膜層，所述濾光膜層至少緊鄰所述第一遮光膜層的相對兩側；所述第二曝光結構僅包括第二遮光膜層。通過在至少緊鄰第一遮光膜層的相對兩側設置濾光膜層，可以使第一遮光膜層的相對兩側的曝光量減少，避免通過第一曝光結構形成的圖形出現過曝光現象，從而使對曝光量要求不同的待形成圖形可以通過設置有第一曝光結構和第二曝光結構的一道掩膜版來形成，以簡化制備工藝。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種掩膜版及其制備方法。

背景技術

在顯示面板的行業中，對陣列基板等進行制作時，通常會用到掩膜版來形成陣列基板上的圖形，因此，選擇合適的掩膜版會簡化陣列基板制作的工藝步驟，以節約制作成本。

現有技術中，在對陣列基板進行構圖時，需要相同條件能夠形成的圖形通過一次構圖工藝來形成，即通過一道掩膜版，在相同曝光強度下進行構圖。但是，在對掩膜版進行構圖時，很多待形成圖形對曝光量的要求是不同的，這就需要通過兩道掩膜版來進行構圖才能形成與預設圖形相同的陣列基板；假如，對曝光量要求不同的兩個待形成圖形采用一道掩膜版進行制備的話，就會存在其中一個待形成圖形過曝光或者其中一個待形成圖形曝光不足的情況。

因此，如何采用一道掩膜版對曝光量要求不同的待形成圖形進行制備，以簡化制備工藝是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供一種掩膜版及其制備方法，用以解決現有技術中對曝光量要求不同的兩個待形成圖形不能一道掩膜版進行制備的技術問題。

因此，本發明實施例提供的一種掩膜版，包括：基板，以及位于所述基板上的至少一個第一曝光結構和至少一個第二曝光結構；其中，

所述第一曝光結構包括第一遮光膜層和濾光膜層，所述濾光膜層至少緊鄰所述第一遮光膜層的相對兩側；

所述第二曝光結構僅包括第二遮光膜層。

在一種可能的實現方式中，本發明實施例提供的上述掩膜版，所述濾光膜層僅設置于緊鄰所述第一遮光膜層的相對兩側。

在一種可能的實現方式中，本發明實施例提供的上述掩膜版，所述第一遮光膜層在所述基板的正投影在所述濾光膜層在所述基板上的正投影內。

在一種可能的實現方式中，本發明實施例提供的上述掩膜版，所述濾光膜層位于所述基板與所述第一遮光膜層之間。

在一種可能的實現方式中，本發明實施例提供的上述掩膜版，所述濾光膜層位于所述第一遮光膜層背向所述基板的一側。

在一種可能的實現方式中，本發明實施例提供的上述掩膜版，所述第一曝光結構用于形成金屬線，所述第二曝光結構用于形成溝道，所述相對兩側為平行于所述金屬線延伸方向的兩側。

在一種可能的實現方式中，本發明實施例提供的上述掩膜版，所述第一遮光膜層和所述第二遮光膜層的材料均包括鉻鉬氧化物。

相應地，本發明實施例還提供了一種掩膜版的制備方法，包括：

在所述基板上形成所述第一遮光膜層的圖形、所述第二遮光膜層的圖形和所述濾光膜層的圖形；

其中，所述第一曝光結構包括第一遮光膜層和濾光膜層，所述濾光膜層至少緊鄰所述第一遮光膜層的相對兩側；

所述第二曝光結構僅包括第二遮光膜層。

在一種可能的實現方式中，本發明實施例提供的上述掩膜版的制備方法，在所述基板上形成所述第一遮光膜層的圖形、所述第二遮光膜層的圖形和所述濾光膜層的圖形，具體包括：