[發明專利]一種掩模板、顯示基板以及顯示裝置

在審

• 申請號: 201810043420.6
• 申請日: 2018-01-17
• 公開（公告）號: CN108227368A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 張小祥;郭會斌;宋勇志;劉明懸;徐文清;李小龍;吳祖謀
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發明涉及顯示裝置制作技術領域，公開了一種掩模板、顯示基板以及顯示裝置，以提高顯示裝置的分辨率，從而提高顯示裝置的顯示品質。掩模板包括：基板、以及位于基板一側且相對設置的第一曝光結構和第二曝光結構，其中：第一曝光結構包括第一透光膜層和第一遮光膜層，第一遮光膜層在基板上的正投影落入第一透光膜層在基板上的正投影內；第二曝光結構包括第二透光膜層和第二遮光膜層，第二遮光膜層在基板上的正投影落入第二透光膜層在基板上的正投影內；第一曝光結構靠近第二曝光結構的側邊具有第一鋸齒狀結構，第二曝光結構靠近第一曝光結構的側邊具有第二鋸齒狀結構。

技術領域

本發明涉及顯示裝置制作技術領域，特別是涉及一種掩模板、顯示基板以及顯示裝置。

背景技術

在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。

在TFT-LCD的制備過程中，通常采用如圖1所示的相移掩模板(Phase Shift Mask，簡稱PSM)對TFT進行曝光處理，以使各金屬走線的間距減小，從而增加像素單元的數量，進而得到分辨率較高的TFT-LCD。

本申請的發明人在實現本申請過程中發現，采用現有技術中的PSM進行曝光時只能在有限范圍內提高TFT-LCD的分辨率，當對TFT-LCD的分辨率要求更高時，該PSM不再適用。

發明內容

本發明實施例的目的是提供一種掩模板、顯示基板以及顯示裝置，以提高顯示裝置的分辨率，從而提高顯示裝置的顯示品質。

本發明實施例提供了一種掩模板，包括基板、以及位于所述基板一側且相對設置的第一曝光結構和第二曝光結構，其中：

所述第一曝光結構包括第一透光膜層和第一遮光膜層，所述第一遮光膜層在所述基板上的正投影落入所述第一透光膜層在所述基板上的正投影內；

所述第二曝光結構包括第二透光膜層和第二遮光膜層，所述第二遮光膜層在所述基板上的正投影落入所述第二透光膜層在所述基板上的正投影內；

所述第一曝光結構靠近所述第二曝光結構的側邊具有第一鋸齒狀結構，所述第二曝光結構靠近所述第一曝光結構的側邊具有第二鋸齒狀結構。

采用本技術方案的掩模板，由于第一曝光結構和第二曝光結構相靠近的側邊分別設置有鋸齒狀結構，因此在使用該掩模板對顯示基板等需要曝光的部件進行曝光時，可以加強光在鋸齒狀結構間的干射以及衍射效果，從而使光線較為集中，提高透光光強，能夠滿足較小尺寸的曝光要求，從而能夠提高應用該掩模板形成的顯示裝置的分辨率，進而提高顯示裝置的顯示品質。

可選的，所述第一透光膜層位于所述第一遮光膜層和所述基板之間，或所述第一遮光膜層位于所述第一透光膜層和所述基板之間；所述第二透光膜層位于所述第二遮光膜層和所述基板之間，或所述第二遮光膜層位于所述第二透光膜層和所述基板之間。

可選的，所述第一鋸齒狀結構僅形成于所述第一透光膜層，所述第二鋸齒狀結構僅形成于所述第二透光膜層。

可選的，所述第一遮光膜層靠近所述第二曝光結構的側邊在所述基板上的正投影線重合于所述第一鋸齒狀結構的齒根線在所述基板上的正投影線，所述第二遮光膜層靠近所述第一曝光結構的側邊在所述基板上的正投影線重合于所述第二鋸齒狀結構的齒根線在所述基板上的正投影線。

可選的，所述第一遮光膜層靠近所述第二曝光結構的側邊在所述基板上的正投影線與所述第一鋸齒狀結構的齒根線在所述基板上的正投影線相間隔，所述第二遮光膜層靠近所述第一曝光結構的側邊在所述基板上的正投影線與所述第二鋸齒狀結構的齒根線在所述基板上的正投影線相間隔。