[發(fā)明專利]取向碳納米管自粘附干電極及其制備工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810042398.3
• 申請日: 2018-01-16
• 公開（公告）號: CN108294747A
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴為華;邢瀟;孫雪梅;劉智多;陳弘達(dá)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: A61B5/0478
• 分類號: A61B5/0478
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種取向碳納米管自粘附干電極，包括取向碳納米管自粘附層、柔性導(dǎo)電薄膜、柔性支撐層和導(dǎo)線，其中所述取向碳納米管自粘附層固定于所述柔性導(dǎo)電薄膜上，所述柔性導(dǎo)電薄膜上固定于所述柔性支撐層上，所述導(dǎo)線與所述柔性導(dǎo)電薄膜連接。

2.如權(quán)利要求1所述的取向碳納米管自粘附干電極，其特征在于，所述柔性導(dǎo)電薄膜為雙層柔性導(dǎo)電薄膜，上層為導(dǎo)電高分子材料，下層為導(dǎo)電金屬，所述柔性導(dǎo)電薄膜的厚度為50-500μm，優(yōu)選地，所述導(dǎo)電高分子材料為PEDOT或?qū)щ姽枘z，所述導(dǎo)電金屬為Ag/AgCl混合物或金(Au)。

3.如權(quán)利要求1所述的取向碳納米管自粘附干電極，其特征在于，所述柔性支撐層的材料選自PDMS、PI、EVA或EPDM，所述柔性支撐層的厚度為20-300μm。

4.一種權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述取向碳納米管自粘附干電極的制備工藝，包括：

在基底上形成柔性支撐層；

在所述柔性支撐層上形成柔性導(dǎo)電薄膜；

在所述柔性導(dǎo)電薄膜上固定多個碳納米管；

去除所述基底，在所述柔性導(dǎo)電薄膜上連接導(dǎo)線。

5.如權(quán)利要求4所述的制備工藝，其特征在于，在形成所述柔性支撐層前，首先將所述基底清洗并干燥。

6.如權(quán)利要求4所述的制備工藝，其特征在于，所述柔性支撐層通過以下步驟形成：將導(dǎo)電高分子材料和固化劑混合均勻，均勻涂布在所述基底上，然后加熱固化，所述涂布的方式優(yōu)選為旋涂。

7.如權(quán)利要求4所述的制備工藝，其特征在于，對所述柔性支撐層進(jìn)行表面處理，使其表面具備親水性，所述表面處理優(yōu)選為氧等離子處理。

8.如權(quán)利要求4所述的制備工藝，其特征在于，所述柔性導(dǎo)電薄膜通過以下步驟形成：在銀漿中加入AgCl得到Ag\AgCl混合物，利用Ag\AgCl混合物形成導(dǎo)電薄膜，然后在導(dǎo)電薄膜上涂布導(dǎo)電高分子材料層。

9.如權(quán)利要求4所述的制備工藝，其特征在于，通過加熱固化使多個碳納米管固定于所述柔性導(dǎo)電薄膜上。

10.如權(quán)利要求4所述的制備工藝，其特征在于，所述基底選自銅箔或鋁箔，所述基底利用腐蝕液去除。