[發(fā)明專利]一種主動式太赫茲成像對比度增強劑及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810041607.2 | 申請日： | 2018-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN108210939B | 公開（公告）日： | 2021-01-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 施奇武;黃婉霞;黃青青;朱禮國;丁明明;蔣雄瑞 | 申請（專利權(quán)）人： | 四川大學(xué) |
| 主分類號： | A61K49/00 | 分類號： | A61K49/00 |
| 代理公司： | 成都中璽知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51233 | 代理人： | 譚昌馳;邢偉 |
| 地址： | 610065 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 主動 赫茲 成像 對比度 增強 及其 制備 方法 | ||
1.一種主動式太赫茲成像對比度增強劑的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
制備納米尺度的熱致相變氧化物，并且所述熱致相變氧化物能夠在比目標(biāo)活體的正常溫度高0.5℃～5.5℃的情況下發(fā)生半導(dǎo)體相與金屬相之間的轉(zhuǎn)變，其中，所述熱致相變氧化物為二氧化釩或亞氧化鈦，所述制備納米尺度的熱致相變氧化物的步驟包括通過向相變氧化物中摻雜W、Mo、Mg、Al中的一種或多種元素來調(diào)節(jié)該相變氧化物半導(dǎo)體相與金屬相轉(zhuǎn)變的溫度；
對所述熱致相變氧化物進行表面修飾處理，以提高其疏水性和分散性；
將與目標(biāo)活體的病灶區(qū)域?qū)?yīng)的靶向官能團結(jié)合至經(jīng)表面修飾處理的熱致相變氧化物，制得主動式太赫茲成像對比度增強劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動式太赫茲成像對比度增強劑的制備方法，其特征在于，所述制備納米尺度的熱致相變氧化物的步驟包括通過式1控制二氧化釩中鎢元素的含量，式1為：T＝71.9-24.5Xw，其中，Xw為鎢元素的摻雜原子濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動式太赫茲成像對比度增強劑的制備方法，其特征在于，所述方法還包括在所述制備納米尺度的熱致相變氧化物的步驟中，通過優(yōu)化納米尺度的熱致相變氧化物的摻雜和形貌，以控制熱致相變氧化物的相變在0.5℃～2℃的范圍內(nèi)完成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動式太赫茲成像對比度增強劑的制備方法，其特征在于，所述對熱致相變氧化物進行表面修飾處理的步驟采用油酸、硅烷偶聯(lián)劑、鋁酸酯偶聯(lián)劑或鈦酸酯偶聯(lián)劑中的一種或多種來進行。
5.一種主動式太赫茲成像對比度增強劑，其特征在于，所述主動式太赫茲成像對比度增強劑包括納米尺度的熱致相變氧化物、表面修飾官能團和靶向官能團，其中，所述熱致相變氧化物能夠在比目標(biāo)活體的正常溫度高0.5℃～5.5℃的情況下發(fā)生半導(dǎo)體相與金屬相之間的轉(zhuǎn)變；所述表面修飾官能團結(jié)合在熱致相變氧化物表面；所述靶向官能團與熱致相變氧化物結(jié)合并能夠?qū)⒅鲃酉蚰繕?biāo)活體的病灶區(qū)域移動，其中，所述熱致相變氧化物為二氧化釩或亞氧化鈦，所述納米尺度的熱致相變氧化物通過向相變氧化物中摻雜W、Mo、Mg、Al中的一種或多種元素來調(diào)節(jié)該相變氧化物半導(dǎo)體相與金屬相轉(zhuǎn)變的溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的主動式太赫茲成像對比度增強劑，其特征在于，所述熱致相變氧化物的相變在0.5℃～2℃的范圍內(nèi)完成。
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