[發(fā)明專利]基于高電子遷移率晶體管波前快速掃描成像調(diào)制器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810040941.6
• 申請(qǐng)日: 2018-01-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108417589A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張雅鑫;蔡雪丹;張亭;曾泓鑫;梁士雄;楊梓強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04L27/04
• 代理公司: 電子科技大學(xué)專利中心 51203
• 代理人: 鄒裕蓉

1.一種基于高電子遷移率晶體管波前快速掃描成像調(diào)制器，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底(1)、外延層(2)、正電壓加載極(3)、負(fù)電壓加載極(4)和P*Q個(gè)像素單元(5)，其中P和Q均為≥2的正整數(shù)；外延層(2)位于半導(dǎo)體襯底(1)的上表面，正電壓加載極(3)、負(fù)電壓加載極(4)和像素單元(5)位于外延層(2)的上表面；

每個(gè)像素單元(5)包括M*N個(gè)亞單元，其中M和N均為≥4的正整數(shù)，每個(gè)亞單元包括金屬工字形人工微結(jié)構(gòu)(6)、柵極連接線(7)和半導(dǎo)體摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)(8)；金屬工字形人工微結(jié)構(gòu)(6)的中間臂的中間位置處具有開(kāi)口，開(kāi)口上下分別與中間臂垂直連接有一個(gè)短枝節(jié)；金屬工字形人工微結(jié)構(gòu)(6)的上下兩臂與中間臂形成上下對(duì)稱的兩個(gè)T形結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)(8)位于開(kāi)口位置的下方，并與兩個(gè)T形結(jié)構(gòu)連接；柵極連接線(7)位于中間臂的開(kāi)口處且位于半導(dǎo)體摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)(8)的上方；每個(gè)像素單元(5)中的亞單元均用同一根柵極連接線(7)連接至負(fù)電壓加載極(4)；每個(gè)像素單元(5)中的亞單元的金屬工字形人工微結(jié)構(gòu)(6)的上下兩臂橫向依次連通，作為HEMT的源漏極，并通過(guò)同一根金屬連接線接至正電壓加載極(3)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于高電子遷移率晶體管波前快速掃描成像調(diào)制器，其特征在于，所述柵極連接線(7)位于半導(dǎo)體摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)(8)上的部分窄于柵極連接線(7)的其它部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于高電子遷移率晶體管波前快速掃描成像調(diào)制器，其特征在于，正電壓加載極(3)接地，負(fù)電壓加載極(4)連接?xùn)艠O連接線(7)，通過(guò)控制負(fù)電壓加載極(4)的電壓高低實(shí)現(xiàn)對(duì)每個(gè)像素單元的單獨(dú)控制。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于高電子遷移率晶體管波前快速掃描成像調(diào)制器，其特征在于，半導(dǎo)體摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料為AlGaN/GaN、InGaN/GaN、AlGaAs/GaAs、AlGaAs/InGaAs或AlGaAs/InGaAs/InP，斜線表示兩種或三種材料的結(jié)合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于高電子遷移率晶體管波前快速掃描成像調(diào)制器，其特征在于，半導(dǎo)體襯底的材料為藍(lán)寶石、高阻硅或碳化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于高電子遷移率晶體管波前快速掃描成像調(diào)制器，其特征在于，正電壓加載極(3)、負(fù)電壓加載極(4)的材料為T(mén)i、Al、Ni或Au。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于高電子遷移率晶體管波前快速掃描成像調(diào)制器，其特征在于，金屬工字形人工微結(jié)構(gòu)(6)、柵極連接線(7)和金屬連接線的材料為Au、Ag、Cu或Al。