[發明專利]電平位移器、集成電路和方法

有效

• 申請號: 201810040856.X
• 申請日: 2018-01-16
• 公開（公告）號: CN110048708B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 吳秉宸;楊家奇;郭俊濤;林梓涵
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 李浩

1.一種電平位移器，被配置為在交替的第一模式和第二模式下運行，所述電平位移器包括：

輸入單元，被配置為接收第一信號，在所述第一模式下導通并將所述第一信號傳送到鎖存單元，以及在所述第二模式下關斷；

電源開關單元，被配置為在所述第一模式下將第一電源電壓傳送到所述鎖存單元，以及在所述第二模式下將第二電源電壓傳送到所述鎖存單元，其中，所述第一電源電壓低于所述第二電源電壓；

所述鎖存單元，被配置為在所述第一模式下鎖存所述第一信號，其中，被鎖存的所述第一信號的電平幅度為所述第一電源電壓，在所述第二模式下將所述第一信號的電平幅度由所述第一電源電壓改為所述第二電源電壓，以及在所述第一模式和所述第二模式下分別輸出與所述第一信號的邏輯相反的第二信號到輸出單元；以及

所述輸出單元，被配置為在所述第一模式下對接收的第二信號隔離，并輸出所述第二電源電壓，以及在所述第二模式下根據接收的第二信號輸出與所述第二信號的邏輯相反的第三信號，其中，所述第三信號的電平幅度為所述第二電源電壓。

2.根據權利要求1所述的電平位移器，其中，

在所述第一模式下的第二信號的電平幅度為所述第一電源電壓；

在所述第二模式下的第二信號的電平幅度為所述第二電源電壓。

3.根據權利要求1所述的電平位移器，其中，所述鎖存單元包括：

信號輸入端，被配置為從所述輸入單元接收所述第一信號；

電壓輸入端，被配置為在所述第一模式下從所述電源開關單元接收所述第一電源電壓，以及在所述第二模式下從所述電源開關單元接收所述第二電源電壓；以及

信號輸出端，被配置為向所述輸出單元輸出所述第二信號。

4.根據權利要求3所述的電平位移器，其中，

所述鎖存單元還包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第一節點和第二節點；

所述第一PMOS晶體管的源極和所述第二PMOS晶體管的源極均連接到所述電壓輸入端；所述第一PMOS晶體管的漏極、所述第二PMOS晶體管的柵極和所述第一NMOS晶體管的柵極一起連接在所述第一節點，所述第一節點連接到所述信號輸入端；所述第一PMOS晶體管的柵極、所述第二PMOS晶體管的漏極和所述第一NMOS晶體管的漏極一起連接在所述第二節點，所述第二節點連接到所述信號輸出端；所述第一NMOS晶體管的源極連接到接地端。

5.根據權利要求3所述的電平位移器，其中，

所述輸入單元還被配置為根據接收的使能信號導通或關斷。

6.根據權利要求5所述的電平位移器，其中，

所述輸入單元包括第一開關晶體管，

所述第一開關晶體管的柵極被配置為接收所述使能信號，所述第一開關晶體管的第一電極被配置為接收所述第一信號，所述第一開關晶體管的第二電極連接所述鎖存單元的信號輸入端。

7.根據權利要求5所述的電平位移器，其中，

所述電源開關單元還被配置為在所述第一模式下在接收到第一選擇信號后將所述第一電源電壓傳送到所述鎖存單元，以及在所述第二模式下在接收到第二選擇信號后將所述第二電源電壓傳送到所述鎖存單元。

8.根據權利要求7所述的電平位移器，其中，

所述電源開關單元包括第二開關晶體管和第三開關晶體管；

所述第二開關晶體管的柵極被配置為接收所述第一選擇信號，所述第二開關晶體管的第一電極和第二電極分別連接所述鎖存單元的電壓輸入端和用于提供所述第一電源電壓的第一電源電壓端；所述第三開關晶體管的柵極被配置為接收所述第二選擇信號，所述第三開關晶體管的第一電極和第二電極分別連接所述鎖存單元的電壓輸入端和用于提供所述第二電源電壓的第二電源電壓端。