[發明專利]一種新型的背接觸異質結電池及其制作方法

在審

• 申請號: 201810040798.0
• 申請日: 2018-01-16
• 公開（公告）號: CN110047965A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 林錦山;謝志剛;王樹林;林朝暉
• 申請（專利權）人: 福建金石能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型的背接觸異質結電池，其特征在于：包括硅基體片，所述硅基體片的受光面依次設置半導體鈍化層、第一半導體層和減反射層，所述硅基體片的背光面設置半導體鈍化層，所述半導體鈍化層上交錯排列著第一半導體層和第二半導體與第一半導體的疊層，所述第一半導體層和疊層上分別設置有透明導電薄膜層，透明導電薄膜層上設置有電極，所述第一半導體層與疊層之間設置有絕緣隔離層，所述第二半導體層與第一半導體層之間形成帶間隧穿接觸。

2.根據權利要求1所述一種新型的背接觸異質結電池，其特征在于：所述硅基體片為為P型單晶硅或N型單晶硅。

3.根據權利要求1所述一種新型的背接觸異質結電池，其特征在于：所述半導體鈍化層為氫化非晶硅層，厚度控制在3～15nm。

4.根據權利要求1所述一種新型的背接觸異質結電池，其特征在于：所述第一半導體層和第二半導體層為N型非晶硅摻雜層或P型非摻雜層，若硅基體片為N型單晶硅基體，則第一半導體層為N型非晶硅摻雜層，第二半導體層為P型非晶硅摻雜層。

5.根據權利要求1所述一種新型的背接觸異質結電池，其特征在于：所述減反射層為氧化硅、氮化硅、ITO或氧化鋁，厚度控制在50～150nm之間。

6.根據權利要求1所述一種新型的背接觸異質結電池，其特征在于：所述電池片的第一和二半導體層都進行高濃度摻雜，形成良好接觸，摻雜濃度為10¹⁹-10²⁰cm^-3，接觸電阻小于10mΩ.cm²。

7.一種新型的背接觸異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述方法包括如下步驟：

硅基體片進行清洗；

在硅基體片的受光面依次沉積半導體鈍化層、第一半導體層和減反射層；

在硅基體片的背光面依次鍍上半導體鈍化層和絕緣層；

去除部分絕緣層，形成第二半導體區的開口區域；

在硅基體片的背光面沉積第二半導體層；

在第二半導體層和絕緣層交疊的區域，去除部分的第二半導體層和絕緣層，形成第一半導體層的開口區域；

在硅基體片的背光面沉積第一半導體層，使其交錯形成第一半導體層和第二半導體與第一半導體的疊層；

在硅基體片的背光面沉積透明導電層；

將硅基體片背光面的第一半導體層和疊層區域絕緣隔開；

在第一半導體層和疊層上形成電極。

8.根據權利要求7所述一種新型的背接觸異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述硅基體片清洗為兩面拋光再制絨形成金字塔絨面。

9.根據權利要求7所述一種新型的背接觸異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一半導體層和疊層區域絕緣隔開采用激光刻線方式或絲網印刷掩膜刻蝕方式。

10.根據權利要求7所述一種新型的背接觸異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述在第一半導體層和疊層上形成電極采用絲網印刷銀漿方式或電鍍方式進行。